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      探討人造金剛石晶體生長機理的意義何在?

      答:非金剛石型碳轉變成金剛石型碳這一相變過程中,壓力、溫度等是變化的條件,碳原子及其集團的運動和相互作用等是相變的根據。壓力、溫度等外因是通過碳原子及其集團的運動和相互...

      日期 2012-08-24   

      何謂金剛石人工生長的機理?

      答:所謂金剛石人工生長的機理,就是指非金剛石型碳(起始狀態)向金剛石(終止態)轉變的反應過程,即非金剛石型碳以什么方式,具備什么條件,經過什么途徑向金剛石轉化的問題。

      日期 2012-08-21   

      用含硅的觸媒合金合成對金剛石晶體生長產生什么影響?

      答:實踐證明,硅對人造金剛石晶體生長的影響主要表現在兩個方面:一是能使晶體生長速度明顯加快;二是不同晶面的生長速度受壓力和溫度的影響較大。

      日期 2012-07-27   

      合金晶格常數和磁矩對金剛石晶體生長的影響?

      答:用下述合金合成金剛石,其差別十分明顯,如用含Mn5%的合金生長金剛石,70/80占12.9%,是含Mn10%合金的2.3~5.1倍,而40/50是含Mn10%合金的...

      日期 2012-07-11   

      Mn-Ni-C系合金的化學成分對金剛石晶體的生長參數、產量和質量有何重要影響?

      答:(1)常壓下,在含有30-40%Ni的Mn-Ni-C系合金中碳的存在明顯地降低其熔點。(2)~48.9GPa壓力和含有46~48%的Ni的Mn-Ni-C系合金的參與...

      日期 2012-07-10   

      觸媒合金表面結構變化對金剛石晶體生長有什么影響?

      答:關于這個問題可以從以下兩個事實給予說明。例1:用滲氮和不滲氮觸媒合成金剛石的效果表明,觸媒滲氮有提高金剛石晶體抗壓強度的作用,但金剛石得量很低,由X衍射分析得知,鎳...

      日期 2012-07-09   

      觸媒合金滲碳對金剛石生長有何影響?

      答:合金片滲碳后之所以失去觸媒作用,主要是以下兩方面原因造成的:(1)合金晶體結構被破壞,從而破壞了金剛石成核的結晶基底。(2)合金d帶電子組態被破壞,

      日期 2012-07-06   

      靜壓觸媒法生長金剛石的一個最基本現象

      答:觀察分析證明,金剛石生長工藝中整個金剛石表層都附有一層金屬膜,為了弄清膜的性質,對膜進行了探針及電子束掃描分析,表所列數據是Ni70Mn25Co5合成金剛石的金屬膜...

      日期 2012-06-20   

      當溫度固定在金剛石生長區間,改變壓力NiMnCo合金中金剛石與再結晶石墨相對含量有什么關系?

      答:隨著壓力的升高,Ni70Mn25Co5合金中,再結晶石墨變得越來越細小。表金剛石與再結晶石墨的相對含量壓力(GPa)Ni70Mn25Co5合金中金剛石與再結晶石墨含...

      日期 2012-06-19   

      一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

      專利號:201110119079申請人:天津理工大學技術簡要說明:一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜,具體步驟如下:

      日期 2012-06-04   

      金剛石生長室的填裝方式有哪些?

      問:金剛石生長室的填裝方式有哪些?答:金剛石生長室的填裝方式,由于研究對象和工作目的不同,方式很多,主要有:(1)片

      日期 2012-04-20   

      一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

      專利號:CN102212795A申請人:天津理工大學一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,采用多步生長法來沉積納米金剛

      日期 2012-04-12   

      金剛石膜生長電極彈性張緊裝置

      專利號:CN102226273A申請人:南京航空航天大學一種金剛石膜生長電極彈性張緊裝置,包括底板和襯底工作臺,其特

      日期 2012-03-23   

      天然金剛石與人造金剛石生長根本區別怎樣?

      天然金剛石與人造金剛石生長最根本的區別有以下三點:(1)溶劑的不同,天然金剛石是從硅酸鹽溶液中生長的,在其中碳的溶解度非常低,而人造金剛石是從金屬熔體中生長出來的,其中...

      日期 2011-10-11   

      碳化硅晶體生長的方法和裝置

      名稱碳化硅晶體生長的方法和裝置公開號1384892公開日2002.12.11主分類號C30B25/00分

      日期 2010-12-24   

      在沿<1100>方向切割的基片上生長的碳化硅外延層

      名稱在沿方向切割的基片上生長的碳化硅外延層公開號1377311公開日2002.10.30主分類號

      日期 2010-12-24   

      在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法

      名稱在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3

      日期 2010-12-24   

      塊狀碳化硅單晶生長的制備方法

      名稱塊狀碳化硅單晶生長的制備方法公開號1367275公開日2002.09.04主分類號C30B29/36

      日期 2010-12-24   

      生長非常均勻的碳化硅外延層

      名稱生長非常均勻的碳化硅外延層公開號1282386公開日2001.01.31主分類號C30B25/02

      日期 2010-12-23   

      無色碳化硅晶體的生長

      名稱無色碳化硅晶體的生長公開號1210565公開日1999.03.10主分類號C30B23/00

      日期 2010-12-23   
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