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      基于DSP的金剛石生長六面頂壓機(jī)專用壓力控制電路

      申請?zhí)枺?01420401815.6申請人:天津職業(yè)技術(shù)師范大學(xué)摘要:本實(shí)用新型涉及一種基于DSP控制的金剛石生長六面頂壓機(jī)專用壓力控制電路,其壓力控制電路包括壓力傳感...

      日期 2014-12-22   

      用于金剛石單晶生長的金伯利巖基容器

      申請?zhí)枺?01320137169申請人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種用于人造金剛石單晶生長的金伯利巖基容器,具有坩堝容器,坩堝容器具有壁體以及由壁體...

      日期 2013-12-16   

      用于金剛石單晶生長的鉀鎂煌斑巖基容器

      申請?zhí)枺?01320133175申請人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種用于人造金剛石單晶生長的鉀鎂煌斑巖基容器,具有坩堝容器,坩堝容器具有壁體以及由壁...

      日期 2013-11-06   

      一種金剛石單晶生長用石墨梯度發(fā)熱元件

      申請?zhí)枺?01320136502申請人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種人造金剛石單晶生長用石墨梯度發(fā)熱元件,具有錐形石墨發(fā)熱管,錐形石墨發(fā)熱管具有發(fā)熱...

      日期 2013-09-30   
      等離子體射流反應(yīng)器加快金剛石生長速率

      等離子體射流反應(yīng)器加快金剛石生長速率

      近日,英國的一項(xiàng)等離子體射流反應(yīng)器技術(shù)將替代傳統(tǒng)的微波反應(yīng)器技術(shù)來快速生產(chǎn)人造金剛石,其合成速度或?qū)⒈纫郧疤岬?...

      日期 2013-08-06   
      石墨烯生長納米線技術(shù)

      石墨烯生長納米線技術(shù)

      自組裝線結(jié)構(gòu)由材料成分的核和外殼組成,這是未來先進(jìn)電子設(shè)備應(yīng)具備的特質(zhì)。納米線作為一種半導(dǎo)體材料的納米級微型導(dǎo)線...

      日期 2013-07-13   
      MC模擬研究CVD聚晶金剛石薄膜生長

      MC模擬研究CVD聚晶金剛石薄膜生長

      近日,俄羅斯國立大學(xué)Skobel’tsyn研究所的Yu.A.Mankelevich和英國Bristol大學(xué)化學(xué)院...

      日期 2013-06-18   
      石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進(jìn)展

      石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進(jìn)展

      近日,微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室張振宇教授理論研究組與國內(nèi)外相關(guān)課題組合作,在石墨烯超低溫可控外延生長研究方面取得...

      日期 2013-06-06   

      高溫高壓生長金剛石的內(nèi)部即時測溫裝置

      申請?zhí)枺?01220643240申請人:臺鉆科技(鄭州)有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種測量裝置,特別涉及一種用于高溫高壓生長金剛石的內(nèi)部即時測溫裝置,包含熱電偶絲及溫...

      日期 2013-05-15   

      一種CBN粉體表面生長瘤狀物的方法

      申請?zhí)枺篊N102330078A申請人:鄭州輕工業(yè)學(xué)院本發(fā)明公開了一種CBN粉體表面生長瘤狀物的方法,步驟如下:將CBN粉體進(jìn)行除油、粗化、敏化、活化、還原處理,然后進(jìn)...

      日期 2013-03-19   

      金剛石薄膜生長方法是怎樣分類的?

      答:金剛石薄膜的生長方法有很多種,歸納起來可分為兩大類。一類是化學(xué)氣相沉積方法,簡稱CVD;另一類是物理氣相沉積方法,簡稱PVD法。這兩類方法中,前者多使用真空度不高但...

      日期 2012-12-06   

      金剛石薄膜生長的一般規(guī)律是什么?

      答:金剛石薄膜的形成過程一般要經(jīng)歷3個階段,即成核及分立晶體的生長、島狀結(jié)構(gòu)(或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))的形成和連續(xù)薄膜的形成。(1)金剛石薄膜的成核晶體成核分為兩種類型:均相成核和...

      日期 2012-12-04   

      生長較粗的優(yōu)晶或提高45/50粒度的金剛石強(qiáng)度和單產(chǎn)其必要條件和充分條件是什么?

      答:實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的必要和充分條件是:(1)保證有較大的生長空間和足夠合適的合成時間;(2)控制成核數(shù)量不宜過多過密,保證晶粒之成核點(diǎn)間距和均勻分布(與控制工藝有關(guān));(...

      日期 2012-11-14   

      金剛石生長中影響壓力的因素有哪些

      答:1、焙燒溫度:同樣的葉臘石塊,用不同的溫度焙燒,其傳壓性能不同,如果焙燒溫度低,其剪切強(qiáng)度小,摩擦系數(shù)過小,在加壓時葉蠟石易從壓頭之間擠出,這樣密封性能差,壓力建立...

      日期 2012-11-09   
      金剛石單晶生長的聲發(fā)射信號分析

      金剛石單晶生長的聲發(fā)射信號分析

      在2012中國超硬材料技術(shù)發(fā)展論壇上,來自中原工學(xué)院材料與化工學(xué)院的劉磊作了關(guān)于《金剛石單晶生長的聲發(fā)射信號分析...

      根據(jù)什么原則來選擇優(yōu)質(zhì)金剛石晶體生長參數(shù)?

      答:(1)起始加熱、加壓時間(2)臺階壓力。石墨在合金中的再結(jié)晶實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,臺階壓力的選擇不是任意的,不能過低,也不能過高,臺階壓力過低,石墨在再結(jié)晶階段不能很好地向...

      日期 2012-11-02   

      金剛石晶體生長的產(chǎn)量、質(zhì)量與工藝參數(shù)的選擇關(guān)系是什么?

      答:(1)升溫表壓約最終合成表壓的一半,實(shí)踐表明,其數(shù)值的高度明顯影響金剛石的粒度粗細(xì),一般來講,降低升溫表壓,有利于金剛石粒度粗。(2)暫停表壓比合成表壓約低10~1...

      日期 2012-10-16   

      何謂晶體生長和晶體生長速率?

      答:當(dāng)穩(wěn)定的晶核已在基質(zhì)中形成之后,在適當(dāng)?shù)倪^冷度和過飽和條件下,基質(zhì)中的原子(或原子團(tuán))向界面遷移,到達(dá)適當(dāng)?shù)纳L位置,使晶體長大,在人工晶體專業(yè)中“晶體...

      日期 2012-09-22   

      影響金剛石晶體生長的主要因素有哪些?

      答:一般認(rèn)為,一個晶體的生長由以下兩個因素所決定:一個是它的內(nèi)部構(gòu)造,另一個是他的外部條件,對于人造金剛石晶體生長來講,壓力、溫度、熔煤是生長過程中幾個重要的外部條件。...

      日期 2012-09-17   
      什么是生長區(qū)內(nèi)金剛石類型分布特征及晶體生長規(guī)律?

      什么是生長區(qū)內(nèi)金剛石類型分布特征及晶體生長規(guī)律?

      答:根據(jù)熱力學(xué)觀點(diǎn)與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)之綜合,把各生長區(qū)內(nèi)的金剛石晶體生長特征及質(zhì)量分布規(guī)律劃分結(jié)果如圖所示。各粒度線區(qū)的...

      日期 2012-08-31   
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