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官方微信摘要 名稱生長非常均勻的碳化硅外延層公開號1282386公開日2001.01.31主分類號C30B25/02
| 名稱 | 生長非常均勻的碳化硅外延層 | ||
| 公開號 | 1282386 | 公開日 | 2001.01.31 |
| 主分類號 | C30B25/02 | 分類號 | C30B25/02 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98812328.2 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.12.14 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1997.12.17 US 08/992,157 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | O·C·E·科迪納;K·G·伊爾溫;M·J·派斯雷 | 國際申請 | PCT.US98/26558 1998.12.14 |
| 國際公布 | WO99.31306 英 1999.6.24 | 進(jìn)入國家日期 | 2000.06.16 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 龍傳紅 |
| 摘要 | 公開一種改良的化學(xué)氣相沉積方法，該方法能增強(qiáng)碳化硅外延層的均勻性并且對得到較厚外延層特別有用。該方法包括將反應(yīng)器加熱到碳化硅原料氣體在反應(yīng)器內(nèi)基體上形成外延層的溫度；和讓原料氣體和載氣流過加熱的反應(yīng)器在基體上形成碳化硅外延層，同時載氣包括氫氣和第二種氣體的混和氣體，其中第二種氣體的熱導(dǎo)要低于氫氣熱導(dǎo)，使得原料氣體在通過反應(yīng)器時它的消耗比使用單一氫氣作載氣時的更低。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號