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       專利號：201110119079

       申請人：天津理工大學

       技術簡要說明：一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法，采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜，具體步驟如下：1）將硅襯底用磨料進行研磨處理；2)在上述研磨處理后的硅襯底上沉積金剛石；3）對上述已沉積的金剛石薄膜表面用磨料進行研磨處理；4）在上述研磨處理后的金剛石薄膜表面再次沉積金剛石；5）重復進行步驟3）和4），即可制得高致密納米金剛石薄膜。本發(fā)明的優(yōu)點是：1）可以制得晶粒小于100nm的高致密納米金剛石薄膜；2）金剛石薄膜的晶粒范圍和致密程度可通過調節(jié)沉積方法、沉積時間和研磨-沉積重復次數(shù)來進行控制；3）制備方法簡單易行；4）用于研磨的金剛石粉容易獲取，可循環(huán)利用，成本低廉。

       主權利要求：１．　一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法，其特征在于：采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜，具體步驟如下：１）將硅襯底用磨料進行研磨處理；２）　在上述研磨處理后的硅襯底上沉積金剛石；３）對上述已沉積的金剛石薄膜表面用磨料進行研磨處理；４）在上述研磨處理后的金剛石薄膜表面再次沉積金剛石；５）重復進行步驟３）和４），即可制得高致密納米金剛石薄膜。