專利號:201110119079
申請人:天津理工大學
技術簡要說明:一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜,具體步驟如下:1)將硅襯底用磨料進行研磨處理;2)在上述研磨處理后的硅襯底上沉積金剛石;3)對上述已沉積的金剛石薄膜表面用磨料進行研磨處理;4)在上述研磨處理后的金剛石薄膜表面再次沉積金剛石;5)重復進行步驟3)和4),即可制得高致密納米金剛石薄膜。本發(fā)明的優(yōu)點是:1)可以制得晶粒小于100nm的高致密納米金剛石薄膜;2)金剛石薄膜的晶粒范圍和致密程度可通過調節(jié)沉積方法、沉積時間和研磨-沉積重復次數(shù)來進行控制;3)制備方法簡單易行;4)用于研磨的金剛石粉容易獲取,可循環(huán)利用,成本低廉。
主權利要求:1. 一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,其特征在于:采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜,具體步驟如下:1)將硅襯底用磨料進行研磨處理;2) 在上述研磨處理后的硅襯底上沉積金剛石;3)對上述已沉積的金剛石薄膜表面用磨料進行研磨處理;4)在上述研磨處理后的金剛石薄膜表面再次沉積金剛石;5)重復進行步驟3)和4),即可制得高致密納米金剛石薄膜。