碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管
關(guān)鍵詞 碳化硅 , 藍(lán)光發(fā)射二極管 |2010-12-22 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管公開號1044549公開日1990.08.08主分類號H01L33/00
名稱 |
碳化硅中形成藍(lán)光發(fā)射二極管 |
公開號 |
1044549 |
公開日 |
1990.08.08 |
主分類號 |
H01L33/00 |
分類號 |
H01L33/00 |
申請?zhí)?/strong> |
89109795.3 |
分案原申請?zhí)?/strong> |
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申請日 |
1989.12.14 |
頒證日 |
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優(yōu)先權(quán) |
[32]1988.12.14[33]US[31]284,293;[32]1989.8.28[33]U |
申請人 |
克里研究公司 |
地址 |
美國北卡羅來納州 |
發(fā)明人 |
約翰·A·埃德蒙 |
國際申請 |
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國際公布 |
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進(jìn)入國家日期 |
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專利代理機(jī)構(gòu) |
中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 |
代理人 |
付康 |
摘要 |
本發(fā)明包含有在碳化硅中形成的發(fā)光二極管,它發(fā)射介于約465至470nm,或介于約455至460nm,或介于約424至428nm波長的可見光。該二極管包含具有第一導(dǎo)電型的α型碳化硅的基片和在具有相同導(dǎo)電型的用作為基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延層。一個(gè)在第一外延層上的α 型碳化硅的第二外延層,具有與第一層相比相對高的導(dǎo)電型,并與第一外延層形成一個(gè)P-N結(jié)。 |
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