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       鍵合碳化硅襯底即指通過在低電阻多晶SiC支撐襯底上鍵合一層高質量的單晶SiC薄層，這些產品能夠在保持單晶SiC特性的同時，也能實現整個襯底的低電阻和減少電流衰減，從而實現高性能和有競爭力的價格。近期，住友金屬，Resonac（原昭和電工）以及東海碳素等日本企業紛紛進軍該領域，以下為更加詳細的報道。

       esonaRc（原昭和電工）

       2024年9月24日，Resonac（原昭和電工）官網宣布，他們與Soitec簽訂了聯合開發協議，雙方將共同開發8英寸SiC——Resonac將在8英寸襯底制造中采用Soitec的Smart SiC?技術，最終提高8英寸碳化硅外延的生產效率，并實現碳化硅外延片業務供應鏈的多樣化。

       住友金屬

       2024年9月27日，住友金屬礦山株式會社（以下簡稱“住友金屬”）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設一條新的8英寸（200mm）SiCkrest大規模生產線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅（SiC）襯底。住友金屬預計，隨著8英寸襯底生產線的建成，到2025財年下半年，鍵合SiC襯底的月產能將超過10,000片（6英寸等效）。同時，Sicoxs還計劃開始向其被許可方供應多晶SiC支撐基板。

       東海碳素

       據日媒報道，2024年8月，碳和石墨產品綜合制造商東海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預計將于2024年12月完成建設。

       東海炭素開發的用于功率半導體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層壓SiC晶圓是通過將帶有預刻槽的單晶SiC晶圓與多晶SiC晶圓鍵合，然后加熱剝離刻槽部分，在作為襯底的多晶SiC晶圓上形成單晶SiC薄膜而制成的。由于單晶SiC層是薄膜，單晶SiC晶圓可重復使用10次以上，一張單晶SiC晶圓可生產10張以上的鍵合晶圓。

       此前報道，今年5月，東海炭素與法國半導體材料制造商Soitec就多晶SiC晶圓達成合作，公司將在中長期內為Soitec供應6英寸和8英寸多晶SiC晶圓。

       除了在日本茅崎市基地設立多晶SiC專線外，東海炭素還計劃在其位于韓國京畿道安城市的現有工廠生產多晶SiC。