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       金融界2025年4月24日消息，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，上海天岳半導體材料有限公司申請一項名為“一種碳化硅-金剛石復合襯底及應用”的專利，公開號CN119812142A，申請日期為2025年1月。

       專利摘要顯示，本申請公開了一種碳化硅?金剛石復合襯底及應用，屬于半導體材料領域。該碳化硅?金剛石復合襯底，包括如下特征：從下至上依次包括碳化硅襯底層、界面層和多晶金剛石層；碳化硅?金剛石復合襯底的熱導率≥650(W/(m·K))；透光率≥26％；直徑≥1英寸。本申請的碳化硅?金剛石復合襯底，通過在碳化硅襯底層和多晶金剛石層中設置界面層，一方面能夠降低層與層之間的界面熱阻，提高復合襯底整體的熱導率；另一方面縮小了碳化硅襯底層和多晶金剛石層的差異性，避免二者的脫層，以得到晶體形貌完整的復合襯底。

       天眼查資料顯示，上海天岳半導體材料有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本90000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，上海天岳半導體材料有限公司參與招投標項目15次，專利信息49條，此外企業(yè)還擁有行政許可50個。