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      我國半導體照明產業規模近2000億元

      春晚神奇多變的舞臺背景,北京奧運開幕式逼真炫目的“畫軸”,“水立方”如夢如幻的照明系統……當...

      日期 2013-02-25   

      挪威低成本方法讓半導體上生出石墨烯

      據每日科學網9月11日報道,挪威科技大學的研究人員開發出一種低成本的方法,能夠在砷化鎵納米線上生長出石墨烯。研究人員稱,這種石墨烯半導體混合材料具有優良的光電性能和透明...

      日期 2012-09-18   

      美開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜

      美國麻省理工學院的研究人員利用電子束光刻技術和剝離過程開發出無缺陷半導體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料,可廣泛應用并開辟潛在的重點研究領域。相關報告發表在近期出...

      日期 2012-08-24   

      半導體精密薄片金剛石砂線切割液及其制備方法

      名稱半導體精密薄片金剛石砂線切割液及其制備方法申請號201210045299申請日2012年2月27日公開號102618376A公開

      日期 2012-08-22   

      金剛石新技術為功率半導體提供熱管理解決方案

      據美國《RAYTHEONTECHNOLOGYTODAY2012ISSUE1》報導:下一代雷達、通信和電子戰系統,特別是采用高功率氮化鎵基射頻的器件將得益于先進的熱管理方...

      日期 2012-06-19   

      美研制出全新碳基半導體“一氧化石墨烯”

      美國威斯康辛大學米爾沃基分校的科學家發現了一種全新的碳基材料一氧化石墨烯(GMO),其由碳家族的神奇材料石墨烯合成,該半導體新材料有助于碳取代硅,應用于電子設備中。石墨...

      日期 2012-06-08   

      可用石墨烯實現大功率半導體設備大幅降溫

      據物理學家組織網5月9日(北京時間)報道,美國加州大學河濱分校伯恩斯工程學院的研究人員開發出一種新技術,可借助石墨烯實現大功率半導體設備的大幅降溫,解決在交通信號燈和電...

      日期 2012-05-10   
      住友電工(常州)半導體材料有限公司開業

      住友電工(常州)半導體材料有限公司開業

      住友電工(常州)半導體材料有限公司開業5月8日上午,住友電工(常州)半導體材料有限公司開業儀式在武進高新區舉行。...

      日期 2012-05-10   

      美研制出全新碳基半導體“一氧化石墨烯”

      石墨烯的導電、導熱性能極強,遠超硅和其他傳統的半導體材料,而由硅制成的晶體管的大小正接近極限,科學家們認為,納米尺度的碳材料可能是“救命稻草”,...

      日期 2012-04-23   

      加工陶瓷和半導體材料的新型激光金剛石刀具

      美國西密歇根大學的制造工程學教授JohnPatten博士開發了一種稱為“μ-LAM”的微激光輔助加工技術,該方法將激光與金剛石刀具結合起來...

      日期 2011-05-18   

      碳化硅半導體結構上的層疊電介質

      名稱碳化硅半導體結構上的層疊電介質公開號1336010公開日2002.02.13主分類號H01L29/51 

      日期 2010-12-24   

      通過注入摻雜制成的碳化硅半導體的熱修復法

      名稱通過注入摻雜制成的碳化硅半導體的熱修復法公開號1272957公開日2000.11.08主分類號H01L21/26

      日期 2010-12-23   

      具有預定的α碳化硅區的半導體結構及此半導體結構的應用

      名稱具有預定的α碳化硅區的半導體結構及此半導體結構的應用公開號1267397公開日2000.09.20主分類號

      日期 2010-12-23   

      以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區的半導體結構

      名稱以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區的半導體結構公開號1265227公開日2000.08.30主分類號

      日期 2010-12-23   

      一種高溫碳化硅半導體材料制造裝置

      名稱一種高溫碳化硅半導體材料制造裝置公開號1327092公開日2001.12.19主分類號C30B25/02&nbs

      日期 2010-12-23   

      碳化硅水平溝道緩沖柵極半導體器件

      名稱碳化硅水平溝道緩沖柵極半導體器件公開號1308774公開日2001.08.15主分類號H01L29/24&nbs

      日期 2010-12-23   

      碳化硅半導體開關器件

      名稱碳化硅半導體開關器件公開號1286805公開日2001.03.07主分類號H01L29/04

      日期 2010-12-23   

      碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件

      名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件公開號1237272公開日1999.12.01主分類號H01

      日期 2010-12-23   

      碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件

      名稱碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件公開號1137331公開日1996.12.04主分類號H01L33/

      日期 2010-12-23   

      采用可調整的金剛石半導體發射極的場致發射電子器件

      名稱采用可調整的金剛石半導體發射極的場致發射電子器件公開號1069825公開日1993.03.10主分類號H01J1

      日期 2010-12-09   
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