| 名稱 | 碳化硅半導體開關器件 | ||
| 公開號 | 1286805 | 公開日 | 2001.03.07 |
| 主分類號 | H01L29/04 | 分類號 | H01L29/04 |
| 申請號 | 98813915.4 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1998.03.19 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 株式會社日立制作所 | 地址 | 日本東京都 |
| 發明人 | 大野俊之;巖崎貴之;八尾勉 | 國際申請 | PCT.JP98/01185 1998.3.19 |
| 國際公布 | WO99.48153 日 1999.9.23 | 進入國家日期 | 2000.09.18 |
| 專利代理機構 | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吳增勇;葉愷東 |
| 摘要 | 本半導體開關器件包括具有第一導電類型的六角形對稱碳化硅單晶和具有與第一導電類型相反的第二導電類型并位于碳化硅單晶內的半導體區域。在第一導電類型的碳化硅單晶和第二導電類型的半導體區域之間形成pn結。pn結果面包括從碳化硅單晶表面開始沿著深度方向延伸的界面，而延伸的界面包括與碳化硅單晶（１１２０）取向平行或大致與之平行的晶面。因此減小漏電流。 | ||
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