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      中科院微電子所取得厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成技術(shù)新突破

      中科院微電子所取得厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成技術(shù)新突破

      近日,中科院微電子所的高頻高壓中心傳來喜訊,劉新宇研究員團隊攜手天津中科晶禾公司等單位,在厚膜氮化鎵(GaN)與...

      中科院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

      中科院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

      近日,中科院微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊與天津中科晶禾公司等單位合作在厚膜氮化鎵(GaN)與多晶金剛石直...

      日期 2024-03-28   
      金剛石/氮化鎵又一新進(jìn)展!

      金剛石/氮化鎵又一新進(jìn)展!

      近日,太原理工大學(xué)周兵課題組和武漢大學(xué)袁超課題組合作,先后在國際權(quán)威期刊《MaterialsCharacteri...

      日期 2023-12-19   
      中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

      中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

      近日,中科院微電子研究所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊與日本東京大學(xué)鹽見淳一郎團隊合作,在氮化鎵(GaN)—金剛石...

      日期 2022-03-17   

      金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用

      金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用
      金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用
      金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用

      隨著GaN基電子功率轉(zhuǎn)化器的功率密度增加和尺寸減小,器件的散熱成為實際應(yīng)用的關(guān)鍵問題。金剛石在所有天然材料中具有最高的熱導(dǎo)率,可用于與GaN集成以消散AlGaN/GaN...

      日期 2021-11-10   

      金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳

      金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳
      金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳
      金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳

      氮化鎵(GaN)現(xiàn)在很火。而更火的是,為了進(jìn)一步提高GaN的性能,不同廠商競相將GaN與其他材料集成在一起?!盁o論是在器件級還是系統(tǒng)級,金剛石基氮化鎵都可以提供高導(dǎo)熱率...

      日期 2020-05-27   

      金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果

      金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果
      金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果
      金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果

      將氮化鎵(GaN)等寬帶隙材料與金剛石等導(dǎo)熱材料集成在一起的室溫鍵合技術(shù)可以提高GaN器件的冷卻效果,并通過更高的功率水平、更長的器件壽命、更高的可靠性和更高的性能來提...

      日期 2020-03-16   

      人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者

      人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者
      人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者
      人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者

      較高復(fù)雜性和功率密度更大的現(xiàn)代微型電子設(shè)備日益受到熱管理技術(shù)的瓶頸制約。例如氮化鎵(GaN)可以顯著提高射頻(RF)晶體管的整體性能,使其上升到一個全新的技術(shù)基準(zhǔn);但在...

      日期 2015-08-04   
      氮化鎵射頻新技術(shù)之金剛石襯底材料

      氮化鎵射頻新技術(shù)之金剛石襯底材料

      美國馬薩諸塞州的Raytheon公司近日成功研制出新一代氮化鎵(GaN)射頻技術(shù)應(yīng)用。由美國國防部高級研究計劃局...

      日期 2014-04-19   

      金剛石和氮化鎵結(jié)合法提高熱管理能力

      許多軍事射頻系統(tǒng),如雷達(dá)和通信系統(tǒng),都采用單片微波集成電路(MMIC)功率放大器。氮化鎵MMIC放大器能大幅增強射頻性能,然而,工作特性卻受到熱阻的較大影響。絕大部分的...

      日期 2013-05-03   

      碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件

      名稱碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件公開號1137331公開日1996.12.04主分類號H01L33/

      日期 2010-12-23   
        共 11 條記錄

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      2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業(yè)集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。

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