名稱 | 以碳化硅材料為基材并具有多個(gè)不同電氣特性的分區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) | ||
公開(kāi)號(hào) | 1265227 | 公開(kāi)日 | 2000.08.30 |
主分類號(hào) | H01L29/24 | 分類號(hào) | H01L29/24;//H01L29/78,29/808H01L29/812,,29/739 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98807535.0 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.07.27 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1997.7.31[33]DE[31]19733076.2 | |
申請(qǐng)人 | 西門子公司 | 地址 | 德國(guó)慕尼黑 |
發(fā)明人 | 德薩德·彼得斯; 萊因霍爾德·肖納 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT.DE98/02108 1998.7.27 |
國(guó)際公布 | WO99.7018 德 1999.2.11 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2000.01.24 |
專利代理機(jī)構(gòu) | 柳沈知識(shí)產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 侯宇 |
摘要 | 一種以碳化硅材料為基材并具有多個(gè)不同電氣特性的分區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該SiC半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(2)至少包含三個(gè)半導(dǎo)體區(qū)(G1至G3),其中第三半導(dǎo)體(G3)的表面包圍第二半導(dǎo)體區(qū)(G2)的表面,即第二分型面(F2),而第二半導(dǎo)體區(qū)(G2)表面又包圍第一半導(dǎo)體區(qū)(G1)的表面,即第一分型面( F1)。根據(jù)本發(fā)明,第二分型面(F2)的邊部(R2)的輪廓由第一分型面(F1)的邊部(R1)的輪廓所決定,兩者的關(guān)系是:第二分型面(F2)基本上是第一分型面(F1 )的特殊擴(kuò)展圖像,其中第二分型面(F2)的邊部(R2)的輪廓與該擴(kuò)展圖像的精確輪廓(Re)的偏差(△a)最大為±10nm。 |