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      同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法

      關(guān)鍵詞 同位素 , 外延 , 金剛石薄膜 , 制備 |2010-12-09 00:00:00|行業(yè)專利|來(lái)源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
      摘要 名稱同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法公開(kāi)號(hào)1057869公開(kāi)日1992.01.15主分類號(hào)C30B25/02&

       

      名稱 同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法 
      公開(kāi)號(hào) 1057869  公開(kāi)日 1992.01.15   
      主分類號(hào) C30B25/02  分類號(hào) C30B25/02;C30B25/20;C30B29/04 
      申請(qǐng)?zhí)?/strong> 91104585.6   
      分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 1991.07.02   
      頒證日   優(yōu)先權(quán) [32]1990.7.2[33]US[31]547,651 
      申請(qǐng)人 通用電氣公司    地址 美國(guó)紐約州  
      發(fā)明人 威廉·F·班霍爾澤; 托馬斯·R·安東尼; 丹尼斯·M  國(guó)際申請(qǐng)  
      國(guó)際公布   進(jìn)入國(guó)家日期  
      專利代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)專利代理有限公司    代理人 王景朝; 楊麗琴   
      摘要   本發(fā)明涉及一種由同位素純的碳-12和碳-13所組成的單晶金剛石的制造方法。在本發(fā)明中,同位素純的單晶金剛石是直接由同位素純的碳-12或碳-13在一個(gè)單晶基體上形成的。    
       

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