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      西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

      西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
      西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
      西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

      金剛石作為一種“終極半導體材料”,在力、熱、聲、光、電等方面都具有十分優異的性能,如超寬禁帶、高載流子遷移率、超高熱導率、高擊穿電場等,在高溫、高效、超高頻、超大功率半...

      日期 2024-12-02   
      研究實現異質外延單晶金剛石襯底的制備

      研究實現異質外延單晶金剛石襯底的制備

      近日,西安交大王宏興教授團隊采用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術,首次在Ir(111)/藍寶石表面實現...

      日期 2024-11-26   

      金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰

      金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰
      金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰
      金剛石/GaN異質外延技術:突破與挑戰

      在半導體技術的前沿領域,金剛石/GaN異質外延技術正受到廣泛關注。異質外延技術通常需要在外延表面沉積緩沖層,包括金剛石異質外延GaN技術和GaN底面異質外延金剛石技術。...

      日期 2024-10-25   
      單晶金剛石異質外延生長有限,該如何推動技術整合發展

      單晶金剛石異質外延生長有限,該如何推動技術整合發展

      金剛石被廣泛提議用于未來的量子和電子技術。金剛石中的色心具有卓越的相干性和強大的自旋光子界面。這使得量子網絡演示...

      日期 2024-10-17   

      半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展

      半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展
      半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展
      半導體所在大尺寸金剛石單晶異質外延生長方面取得進展

      作為一種超寬帶隙半導體材料,金剛石具有禁帶寬度大、載流子遷移率高,載流子飽和漂移速度大、臨界擊穿場強大、熱導率高等優點,非常適合用于制備高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的電...

      日期 2024-07-18   

      西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產

      西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產
      西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產
      西安交大成功實現2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產

      近日,由西安交通大學王宏興教授領銜的創業團隊在單晶金剛石襯底技術產業化上取得了重大進展和突破。該團隊采用一種基于微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術實現了2英寸異...

      日期 2024-01-09   

      異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展

      異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展
      異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展
      異質外延單晶金剛石及其相關電子器件的研究進展

      1異質外延單晶金剛石微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)是高質量單晶金剛石制備的主流方法。根據襯底選擇可將其分為同質外延和異質外延兩種。同質外延以單晶金剛石為襯底,通...

      日期 2023-09-05   

      哈爾濱工業大學:Ir襯底上金剛石半導體異質外延生長技術與機理研究進展

      推薦語:瞄準金剛石晶圓制備這一制約其應用的技術難題,從形核與生長基本理論出發,通過闡述金剛石形核裝置、工藝窗口、形核現象、織構生長、位錯控制等關鍵技術細節,對Ir襯底上...

      日期 2023-02-02   

      NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

      NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
      NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
      NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

      單晶金剛石憑借優異的力、熱、光、電等性質,在探測器、功率器件、量子計算等領域具有廣泛的應用前景,但大尺寸低缺陷高純度晶體的合成是制約其應用的主要瓶頸。作為兩種最常用的C...

      日期 2021-12-29   
      上海光機所在金剛石異質外延方面取得進展

      上海光機所在金剛石異質外延方面取得進展

      到目前為止,解決固體激光器的熱管理問題仍然具有挑戰性。在所有已知材料中,金剛石具有最高的熱導率、極其穩定的物化性...

      日期 2021-09-16   

      “超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延

      “超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延
      “超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延
      “超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延

      金剛石具有寬帶隙,高熱導率,高載流子遷移率,低介電常數等優越特性,在各領域中有著巨大的應用價值。其中,金剛石單晶更以其沒有晶界和較低的缺陷密度而成為目前金剛石在高功率及...

      日期 2019-05-10   

      一種異質外延生長大尺寸單晶金剛石的襯底及其制備方法

      申請號:201410794743.0申請人:哈爾濱工業大學發明人:王楊代兵朱嘉琦舒國陽摘要:本發明公開

      日期 2015-04-24   

      在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法

      名稱在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3

      日期 2010-12-24   
        共 13 條記錄

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