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　　申請(qǐng)?zhí)枺?01610256111.8
　　申請(qǐng)人：武漢理工大學(xué)
　　發(fā)明人：章嵩 李登峰 徐偉清 涂溶 張聯(lián)盟

　　摘要：本發(fā)明公開了一種利用MPCVD中頻感應(yīng)輔助加熱制備金剛石薄膜的方法，通過(guò)在原來(lái)MPCVD裝置的基礎(chǔ)上增加一個(gè)用于測(cè)溫和支撐的熱電偶、用于感應(yīng)產(chǎn)熱的石墨管以及銅線圈，在反應(yīng)的過(guò)程中，通過(guò)置于基板座中的熱電偶配合中頻感應(yīng)加熱器對(duì)基板溫度進(jìn)行快速且精準(zhǔn)的調(diào)控。本發(fā)明方法既保留了原有MPCVD系統(tǒng)沉積金剛石膜的優(yōu)點(diǎn)，又能為金剛石薄膜的生長(zhǎng)提供穩(wěn)定的條件，結(jié)合對(duì)基板的預(yù)處理以及通入輔助氣體提高形核密度，能夠生長(zhǎng)出晶粒尺寸和薄膜厚度均勻的金剛石薄膜。 　　主權(quán)利要求：1.利用MPCVD中頻感應(yīng)輔助加熱制備金剛石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)將基板放入混有金剛石微粉的丙酮溶液中，超聲震蕩一定時(shí)間，用去離子水洗凈后以氮?dú)獯蹈桑?2)將處理好的基板置于基板座上，設(shè)定好MPCVD系統(tǒng)和中頻感應(yīng)輔助加熱器；(3)抽真空并打開中頻感應(yīng)輔助加熱器的開關(guān)，對(duì)基板進(jìn)行預(yù)熱；(4)在溫度接近設(shè)定值時(shí)通入反應(yīng)氣體與載流氣，調(diào)節(jié)流量計(jì)使氣流速度穩(wěn)定；(5)打開微波源，激發(fā)前驅(qū)體，開始沉積金剛石薄膜，中頻感應(yīng)輔助加熱器通過(guò)熱電偶實(shí)時(shí)監(jiān)控基板溫度使其保持穩(wěn)定，直至沉積結(jié)束。
　　2.如權(quán)利要求1中所述的制備金剛石薄膜的方法，其特征在于：步驟(1)中金剛石微粉的粒徑為30-40μm，金剛石在丙酮中的混合濃度為10g/L。
　　3.如權(quán)利要求1中所述的制備金剛石薄膜的方法，其特征在于：步驟(2)中MPCVD系統(tǒng)沉積腔壓力設(shè)定在1000-6000Pa，基板溫度設(shè)定在600-900℃。
　　4.如權(quán)利要求1中所述的制備金剛石薄膜的方法，其特征在于：步驟(4)中通入的氣體為CH4、H2和CO2，氣體總流量為400-800sccm，CH4與H2的質(zhì)量流量比小于5％。