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       單晶金剛石是一種性能優(yōu)異的晶體材料，在先進(jìn)科學(xué)領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。作為終極半導(dǎo)體，金剛石大單晶與器件應(yīng)用方向，近年來備受行業(yè)關(guān)注與研究，并取得突飛猛進(jìn)的發(fā)展。其中，在MPCVD單晶金剛石生長中，如何提高晶體的生長速率一直以來都是研究者們關(guān)注的重點(diǎn)問題之一，而采用高能量密度的等離子體是提高單晶金剛石生長速率的有效手段。

       近日，哈爾濱工業(yè)大學(xué)代兵教授、朱嘉琦教授團(tuán)隊(duì)在最新成果中，提出了一種利用等離子體聚集裝置實(shí)現(xiàn)高能量密度快速生長的方法，并對等離子體相關(guān)性狀和生長材料進(jìn)行了分析表征。該論文進(jìn)一步模擬和優(yōu)化了生長工藝，顯著提升了金剛石生長速率，引領(lǐng)了快速生長金剛石單晶的發(fā)展方向。該成果以“等離子體聚集裝置下的高能量密度單晶金剛石快速生長研究 ”為題，發(fā)表在《無機(jī)材料學(xué)報(bào)》上。博士生李一村為第一作者，代兵教授為通訊作者。

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