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申請號: 201721459229.7

申請日: 2017.10.31

申請人: 江蘇西玉鉆石科技有限公司   

發明人: 曹大呼; 龍政鑫; 李培培

       摘要： 

       本實用新型涉及一種雙碳源合成人造金剛石制備裝置，所述制備裝置包括傳壓介質立方體、石墨加熱管和合成腔室，所述合成腔室的MgO晶床上具有間隔設置的容置晶種凹槽，所述MgO晶床上還設有若干盲孔。本實用新型通過采用石墨?金剛石微粉雙碳源，可在高溫?高壓溫度梯度法生長多顆人造金剛石單晶時，顯著提高最初48小時內金剛石單晶生長速度，使單晶平均生長速度達到10mg/hr；單晶凈度可達到VVS級。     

       主權利要求:

       一種雙碳源合成人造金剛石制備裝置，其特征在于，所述制備裝置包括傳壓介質立方體、石墨加熱管和合成腔室，所述石墨加熱管位于傳壓介質立方體內孔內壁，所述合成腔室由位于下部的MgO晶床、沿MgO晶床周邊設置的MgO管子和上面的MgO蓋子圍合成密閉空間；所述合成腔室的MgO管子外壁與石墨加熱管內壁緊密貼合；所述MgO蓋子與MgO晶床之間具有容置碳源和金屬催化劑的空間；所述MgO晶床上具有間隔設置的容置晶種凹槽，所述MgO晶床上還設有若干盲孔。