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　　申請號：201510255980.4
　　申請人：西安交通大學
　　發明人：吳勝利 張程高 魏強 王宏興 胡文波 張勁濤

　　摘要：本發明公開了一種用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，包括以下步驟：1)取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨，再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動；2)將經步驟1)處理后的金屬鉬基板通過MPCVD沉積設備以甲烷、氫氣及氧氣的混合氣體為反應氣體進行金剛石薄膜生長，得用于二次電子發射的金剛石薄膜，其中，甲烷、氧氣及氧氣的體積百分比為4-6：94-96：0-2，生長過程中MPCVD沉積設備的微波功率為4500-5000w，溫度為1050-1100℃。本發明制備的金剛石薄膜具有較高的二次電子發射系數及更好的衰減特性。 　　主權利要求：1.一種用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：1)取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨，再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動，然后再對金屬鉬基板進行清洗；2)將經步驟1)處理后的金屬鉬基板通過MPCVD沉積設備以甲烷、氫氣及氧氣的混合氣體為反應氣體進行金剛石薄膜生長，得用于二次電子發射的金剛石薄膜，其中，甲烷、氧氣及氧氣的體積百分比為4-6：94-96：0-2，生長過程中MPCVD沉積設備的微波功率為4500-5000w，溫度為1050-1100℃。
　　2.根據權利要求1所述的用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，所述金屬鉬基板的待沉積面為平面或圓弧面。
　　3.根據權利要求2所述的用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，當金屬鉬基板的待沉積面為平面時，步驟1)的具體操作為：取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨15-20min， 再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動 5-20min。
　　4.根據權利要求2所述的用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，當金屬鉬基板的待沉積面為圓弧面時，步驟1)的具體操作為：取金屬鉬基板，然后將金屬鉬基板通過金剛石粉進行研磨 20-25min，再將研磨后的金屬鉬基板放置到金剛石粉的懸濁液中進行超聲震動5-20min。
　　5.根據權利要求1所述的用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)中將金屬鉬基板通過粒徑為1-10μm的金剛石粉進行研磨。
　　6.根據權利要求1所述的用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)中的金剛石粉的懸濁液為金剛石粉的丙酮懸濁液。
　　7.根據權利要求1所述的用于二次電子發射的金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)中對金屬鉬基板進行清洗的具體操作為：通過丙酮溶液、酒精及去離子依次對金屬鉬基板進行超聲清洗。