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      1.  首頁
        2. 
				
      2. 專利
      3. 氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法  
        4. 			
			
      
		
      	
	

      
	
      
		
      
			
      氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法  
      
			關鍵詞 氮化鋁 , 碳化硅 , 氮化鋁|2010-12-24 00:00:00|行業專利|來源 中國超硬材料網
			
      
			
      
				
      摘要 名稱氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法公開號1344336公開日2002.04.10主分類號C30
      				
      
	 
      

      
	
		
      
			
				名稱
			
				氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法 
		
      
		
      
			
				公開號
			
				1344336 
			
				公開日
			
				2002.04.10 　 
		
      
		
      
			
				主分類號
			
				C30B29/36 
			
				分類號
			
				C30B29/36;C30B29/38;C30B23/00;C30B29/40 
		
      
		
      
			
				申請號
			
				99811961.X 　 
		
      
		
      
			
				分案原申請號
			
				 
			
				申請日
			
				1999.10.08 　 
		
      
		
      
			
				頒證日
			
				 
			
				優先權
			
				1998.10.9__US_09/169,401 
		
      
		
      
			
				申請人
			
				克里公司 　 
			
				地址
			
				美國北卡羅萊納　 
		
      
		
      
			
				發明人
			
				C·E·亨特 　 
			
				國際申請
			
				PCT/US99/23487 1999.10.8 
		
      
		
      
			
				國際公布
			
				WO00/22203 英 2000.4.20 
			
				進入國家日期
			
				2001.04.09　 
		
      
		
      
			
				專利代理機構
			
				中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 　 
			
				代理人
			
				段承恩 　 
		
      
		
      
			
				摘要
			
				　　采用在許多成核點沉積Al、Si、N、C的適當蒸汽物質制備了低缺陷濃度、低雜質的氮化鋁、碳化硅及氮化鋁：碳化硅合金塊狀單晶，這些成核點是擇優冷卻至低于晶體生長室內周圍表面溫度的。通過升華固態材料、汽化液態Al、Si或Al－Si、或注入源氣體來提供蒸汽物質。這些許多成核點可能未引種或者采用籽晶如4H或6HSiC進行經引種的。
		
      
	      

      			
      	
			
      
 

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