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      1.  首頁
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      2. 專利
      3. 表面待用碳化硅基體的回收  
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      表面待用碳化硅基體的回收  
      
			關鍵詞 碳化硅 , 基體 |2010-12-23 00:00:00|行業專利|來源 中國超硬材料網
			
      
			
      
				
      摘要 名稱表面待用碳化硅基體的回收公開號1252895公開日2000.05.10主分類號H01L33/00
      				
      
	 
      

      
	
		
      
			
				名稱
			
				表面待用碳化硅基體的回收 
		
      
		
      
			
				公開號
			
				1252895 
			
				公開日
			
				2000.05.10 　 
		
      
		
      
			
				主分類號
			
				H01L33/00 
			
				分類號
			
				H01L33/00 
		
      
		
      
			
				申請號
			
				98804197.9 　 
		
      
		
      
			
				分案原申請號
			
				 
			
				申請日
			
				1998.04.07 　 
		
      
		
      
			
				頒證日
			
				 
			
				優先權
			
				[32]1997.4.17[33]US[31]08/840,961 
		
      
		
      
			
				申請人
			
				克里研究公司 　 
			
				地址
			
				美國北卡羅萊納　 
		
      
		
      
			
				發明人
			
				G·H·尼格利 　 
			
				國際申請
			
				PCT.US98/06836 1998.4.7 
		
      
		
      
			
				國際公布
			
				WO98.47185 英 1998.10.22 
			
				進入國家日期
			
				1999.10.15　 
		
      
		
      
			
				專利代理機構
			
				中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 　 
			
				代理人
			
				龍傳紅 　 
		
      
		
      
			
				摘要
			
				　　公開一種從碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物雜外延結構回收表面待用碳化硅基體的方法。該方法包括向碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物外延層施加應力使外延層內有效增加位錯數量以便讓外延層在無機酸內受到浸蝕和溶解，但反過來并不影響碳化硅基體，和隨后用無機酸接觸外延層以便去除Ⅲ族氮化物同時留下不受影響的碳化硅基體。 　
		
      
	      

      
			
      	
			
      
 

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