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      通過化學(xué)汽相淀積生產(chǎn)碳化硅的方法和裝置

      關(guān)鍵詞 化學(xué)汽相淀積 , 碳化硅 , 裝置 |2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
      摘要 名稱通過化學(xué)汽相淀積生產(chǎn)碳化硅的方法和裝置公開號1166540公開日1997.12.03主分類號C30B25/00&

       

      名稱 通過化學(xué)汽相淀積生產(chǎn)碳化硅的方法和裝置 
      公開號 1166540  公開日 1997.12.03   
      主分類號 C30B25/00  分類號 C30B25/00;C30B29/36 
      申請?zhí)?/strong> 97102232.1 
      分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 1997.01.10   
      頒證日   優(yōu)先權(quán) [32]1996.1.30[33]DE[31]19603323.3 
      申請人 西門子公司  地址 聯(lián)邦德國慕尼黑 
      發(fā)明人 羅蘭·魯普; 約翰尼斯·韋爾克    國際申請  
      國際公布   進(jìn)入國家日期  
      專利代理機(jī)構(gòu) 柳沈知識產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所  代理人 楊梧 
      摘要   一種提高氣體利用率的通過CVD生產(chǎn)SiC的方法和裝置,其中,產(chǎn)生一股過程氣流(2),在基底(4)上通過CVD從過程氣流(2)中離析出SiC。此外還產(chǎn)生由一種惰性氣體組成的第二股氣流(3),它沿流動方向完全包圍過程氣流(2)。由此獲得過程氣體的高的產(chǎn)出率。 
       

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