| 名稱 | 碳化硅的制取方法 | ||
| 公開號 | 1042522 | 公開日 | 1990.05.30 |
| 主分類號 | C01B31/36 | 分類號 | C01B31/36 |
| 申請號 | 88105168.3 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1988.11.08 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 東北工學院 | 地址 | 遼寧省沈陽市和平區文化路一段一號 |
| 發明人 | 馮乃祥; 徐秀芝; 李席夢 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 東北工學院專利事務所 | 代理人 | 安宇宏 |
| 摘要 | 一種制取碳化硅晶體的方法。該方法是將制取碳化硅的反應料置于石墨化爐的保溫層內，生產石墨電極時同爐生產碳化硅。應用此方法可使石墨化爐的能源得到充分利用，降低碳化硅的生產成本。提高石墨電極制造廠的經濟效益。 | ||
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