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      這類金剛石晶體管,革命芯片!

      這類金剛石晶體管,革命芯片!

      隨著工程師尋找新的半導(dǎo)體材料來制造下一代設(shè)備,研究人員終于能夠使用鉆石生產(chǎn)N型晶體管。摩爾定律給電子學(xué)帶來了哪些...

      日期 2024-05-07   
      全球首款!美國國家材料科學(xué)研究所(NIMS):N型導(dǎo)電性溝道金剛石場效應(yīng)晶體管!

      全球首款!美國國家材料科學(xué)研究所(NIMS):N型導(dǎo)電性溝道金剛石場效應(yīng)晶體管

      近期,美國國家材料科學(xué)研究所(NIMS)團(tuán)隊研發(fā)了世界上第一個基于金剛石n型溝道驅(qū)動的金屬氧化膜半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...

      日期 2024-03-20   

      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍

      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍
      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍
      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍

      氮化鎵(GaN)晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。金剛石具有極高的導(dǎo)熱率,有望作為半導(dǎo)體元件的散熱...

      日期 2023-12-21   

      世界記錄!革命性的金剛石雙電層晶體管

      世界記錄!革命性的金剛石雙電層晶體管
      世界記錄!革命性的金剛石雙電層晶體管
      世界記錄!革命性的金剛石雙電層晶體管

      全固態(tài)雙電層晶體管(ASS-EDLT)最近因其在神經(jīng)形態(tài)設(shè)備應(yīng)用中的巨大潛力而引起了人們的關(guān)注。然而,它們的低開關(guān)響應(yīng)速度是其實際應(yīng)用的一個顯著缺點。研究人員展示了AS...

      日期 2023-08-18   
      日本大阪市立大學(xué)等成功制造金剛石鍵合GaN晶體管

      日本大阪市立大學(xué)等成功制造金剛石鍵合GaN晶體管

      近日,大阪市立大學(xué)(OsakaCityUniversity)、東北大學(xué)、AirWater通過對金剛石鍵合的氮化鎵...

      首款磁電晶體管研制成功

      美國科學(xué)家在最新一期《先進(jìn)材料》雜志上撰文指出,他們研制出了全球首個磁電晶體管,不僅有望幫助滿足人們對數(shù)字存儲器日益增長的需求,將該領(lǐng)域的能耗降低5%,還可將存儲某些數(shù)...

      日期 2022-04-14   

      晶體管小尺寸背后的大突破

      在科技領(lǐng)域,很多突破都與“多”和“大”有關(guān),但是在集成電路領(lǐng)域,有一個部件正在不斷地往“小”的方向發(fā)展,那就是晶體管的柵極尺寸。如果將中央處理器稱為一臺計算機的心臟,那...

      日期 2022-04-13   
      鉆石做晶體管 未來似乎一片光明

      鉆石做晶體管 未來似乎一片光明

      JamesBond小說的作者IanFlemin曾寫道,鉆石可能是永恒的。但在工程師的角度來看,其或?qū)⒂肋h(yuǎn)處于實用...

      日期 2022-04-11   

      日本研究人員開發(fā)新的金剛石晶體管,空穴遷移率是傳統(tǒng) FET 的五倍

      日本研究人員開發(fā)新的金剛石晶體管,空穴遷移率是傳統(tǒng) FET 的五倍
      日本研究人員開發(fā)新的金剛石晶體管,空穴遷移率是傳統(tǒng) FET 的五倍
      日本研究人員開發(fā)新的金剛石晶體管,空穴遷移率是傳統(tǒng) FET 的五倍

      由寬帶隙半導(dǎo)體制成的場效應(yīng)晶體管可以在高電壓、高溫度和高頻率下以低能量損耗工作,對于電力和高頻電子設(shè)備來說非常重要。然而,寬帶隙p溝道晶體管與n溝道晶體管相比性能較差,...

      日期 2022-03-01   
      澳大利亞國立大學(xué):金剛石晶體管促進(jìn)汽車和火箭的下一代發(fā)動機的開發(fā)

      澳大利亞國立大學(xué):金剛石晶體管促進(jìn)汽車和火箭的下一代發(fā)動機的開發(fā)

      金剛石的示意結(jié)構(gòu):H表面經(jīng)歷不同的ALD工藝及其產(chǎn)生的界面電子特性與金剛石;H/MoO3與金剛石:H/HyMoO...

      日期 2018-10-29   

      石墨烯納米晶體管研制取得進(jìn)展

      據(jù)瑞士聯(lián)邦材料研究所(EMPA)消息,該所與德國馬普學(xué)會高分子研究所、美國加州大學(xué)伯克利分校合作開展的納米晶體管研制取得重要進(jìn)展,使用石墨烯納米帶制成的核心結(jié)構(gòu)大幅度提...

      日期 2018-01-17   
      厲害 二維材料開啟超低功耗晶體管的先河

      厲害 二維材料開啟超低功耗晶體管的先河

      擠壓晶體管到計算機芯片的更小區(qū)域的同時,半導(dǎo)體行業(yè)正在努力改善器件過熱的問題。現(xiàn)在約克大學(xué)和羅馬帝國大學(xué)的研究人...

      日期 2017-11-10   
      中國科大等在二維材料半導(dǎo)體量子晶體管研究中取得進(jìn)展

      中國科大等在二維材料半導(dǎo)體量子晶體管研究中取得進(jìn)展

      中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授郭光燦領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點實驗室,在半導(dǎo)體門控量子點的研究中取得進(jìn)展。該...

      日期 2017-10-25   
      金剛石基背柵型氫終端場效應(yīng)晶體管及其制備方法

      金剛石基背柵型氫終端場效應(yīng)晶體管及其制備方法

      申請?zhí)枺?01710331449.X申請人:西安交通大學(xué)發(fā)明人:王宏興王艷豐王瑋常曉慧張景文卜忍安侯洵&n

      日期 2017-09-06   
      金剛石基常關(guān)型場效應(yīng)晶體管及其制備方法

      金剛石基常關(guān)型場效應(yīng)晶體管及其制備方法

      申請?zhí)枺?01710188701.6申請人:西安交通大學(xué)發(fā)明人:王宏興王艷豐王瑋常曉慧李碩業(yè)張景文卜忍安侯洵

      日期 2017-08-07   

      東北大學(xué)等使用三維納米多孔石墨烯制作晶體管

      東北大學(xué)2016年10月12日宣布與東京大學(xué)等合作,制作出了使用三維納米多孔石墨烯的電雙層晶體管。石墨烯是由單層碳原子組成的二維片層,具有優(yōu)秀的晶體管性能,但達(dá)到實用水...

      日期 2016-10-17   
      拐點已到!碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管

      拐點已到!碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管

      芯片制造商現(xiàn)在面臨一定的困難,它們要用更小的制程制造更快的CPU,正因如此,芯片企業(yè)已經(jīng)開始尋找“硅...

      日期 2016-09-08   
      三維結(jié)構(gòu)的氫終端金剛石場效應(yīng)晶體管生物傳感器及其制備方法

      三維結(jié)構(gòu)的氫終端金剛石場效應(yīng)晶體管生物傳感器及其制備方法

      申請?zhí)枺?01510262128.X申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所發(fā)明人:王晶晶馮志紅何澤召摘要:本發(fā)...

      金剛石薄膜的表面處理方法、晶體管的制造方法和傳感器元件

      申請?zhí)枺?01410421139.3申請人:橫河電機株式會社學(xué)校法人早稻田大學(xué)發(fā)明人:新谷幸弘猿谷敏之川原田洋&nb

      日期 2015-03-21   

      造就未來科技:石墨烯制造新型晶體管

      石墨烯(Graphene)自十幾年前誕生以來就一直讓科學(xué)家們著迷。這種僅僅一個原子厚度的碳元素材料擁有出色的電子特性、強度、超輕重量,用途也不斷拓寬,但是如何為其植入能...

      日期 2013-05-28   
      12   共 34 條記錄

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      2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。

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