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       近日，俄羅斯核子研究大學（MEPhl）聯合世界各國的科學家研發出了一種石墨烯純化的新技術，可以使石墨烯在劇烈的氧自由基環境下更具穩定性。該研究對于推動納米電子技術的發展有著關鍵性作用。研究結果發表在期刊Carbon上。

       石墨烯是一種厚度只有一個原子大小的結晶碳薄膜，具有優越的電子性能、傳導率高、光透明度高、機械張拉性能好，廣泛應用于納米電子技術領域。
       納米電子設備的制備工藝需要在石墨烯上施以一層聚合物覆層，然后再將其剝離掉。而留在石墨烯上的涂層殘留物就會對石墨烯造成一定程度的“污染”，降低石墨烯內載荷子的移動性。去除這些聚合物殘留物常用的方法有熱處理、等離子去膠和化學溶劑等，但這些方法會影響甚至破壞石墨烯的質量性能。例如，臭氧具有較高的活性，常用來對石墨烯表面進行殘留物清除；但臭氧會造成石墨烯材料出現缺陷，導致其性能出現退化。而來自MEPhl的科學家則利用碳化硅的高溫升華技術制備出了穩定性更好且耐臭氧化作用的石墨烯。這種新型石墨烯與臭氧接觸10分鐘之久而保持質量性能不變，而一般的石墨烯在臭氧環境下僅三四分鐘就失去其特性。
       來自希臘、法國和瑞典的科學家聯合參與了這項研究。工作人員利用計算機建模對碳化硅-石墨烯材料在劇烈氧自由基環境下的較高穩定性進行了揭示說明。這種新型石墨烯所表現出的異常穩定性與碳化硅襯底上的外延石墨烯物質的低韌性有關。
       MEPhl高分子物理系的副教授Konstantin Katin說道：尋常粗糙度的石墨烯由于一些凸起區域的存在而更容易受影響；這些凸起區對于環氧基的形成具有較高的反應活性，這就會破壞石墨烯的完整性。
       MEPhl的這項新研究將有助于制備出電子性能更加優越的、工業級高質量石墨烯。（編譯：中國超硬材料網）