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       IBM高級研究員Nicolas Loubet拿著一片5nm厚的硅晶體片，該設備在固定功率條件下可提高性能約40%；在匹配性能條件下可節能75%。

       IBM及其研究聯盟的合作伙伴格羅方德、三星以及相關供應商近日研發出了一種新型納米薄片硅電晶體，厚度僅5nm。該研究詳情將在2017年日本東京超大規模集成電路技術與電路會議座談會上披露。繼7nm厚的節點芯片被研發后的短短兩年時間內，科學家們再次攻破新技術，研發出了300億個開關切換的5nm芯片。
       該技術將大大提高智能計算、物聯網和數據密集型設備的性能；而節能效率的大大提高也將極大地延長智能手機和其他移動設備的電池壽命兩到三倍。
       科學家們利用堆疊的硅納米薄片替代了FinFET結構（標準鰭式場效應晶體管），以此作為電晶體設備結構。而FinFET結構之前曾是7nm薄芯片技術的藍圖。
       未來的經濟社會發展對智能計算和云計算的需求極大，而半導體技術的創新和提升在其中則起著重要作用。高級副總裁、IBM研究組的負責人Arvind Krishna說：基于這種大環境下大發展的要求和推動，IBM積極探索新型獨特的結構技術和新材料，推動半導體行業的創新進步。

       紐約州立大學理工學院實驗室內，IBM研究人員利用5nm硅薄片電晶體制備得到測試晶圓，并將其裝載入前端開啟式晶圓傳送盒中。

       該研究發表在期刊VLSI上，題為《堆疊納米薄片環柵式電晶體》，該研究證明了5nm晶片的制備具有可行性且更效率更高；不久的將來就會應用到實踐當中。
       和當前市場上10nm主流技術相比，5nm尺寸的薄片技術在固定功率條件下可增強40%的工作性能，在匹配性能條件下可節能75%。這一技術大大迎合了未來人工智能系統、虛擬化現實和移動設備的發展要求。

       IBM研究團隊通過納米硅薄片堆疊技術作為設備結構，制備出了5nm晶體管的電子掃描圖，在指甲蓋大小的晶片上實現了300億個單位的開關，能夠更有效的進行傳輸且性能更高。

       IBM團隊對薄片半導體的研究工作已經有10年之余。該研究在業內首次設計并制備出了堆疊式納米薄片設備，其電子性能要比傳統FinFET 結構更加優越。
       本研究中的納米薄片電晶體結構采用了遠紫外線光刻技術（EUV），該技術可以實現納米薄片寬度的連續調整，在單一的制造工藝內或晶片設計流程內即可完成。這種可調性技術可以對特殊電路的性能和功率進行微調，這一點是目前FinFET晶體管制備工藝所沒有的，也正是FinFET晶體管的載流鱗片高度制約了工藝的突破和發展。因此，即便FinFET晶片能實現5nm的尺寸，簡單地對鱗片之間的空間進行縮小并不能有效地增加電流并提供額外的性能改善。(編譯：中國超硬材料網)