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　　Micro LED 異軍突起，應用潛力極大。Micro LED 是新一代的顯示技術，即微型化的LED 陣列，將LED 結構設計進行薄膜化、微小化、陣列化，使其體積大約為常用LED 大小的1%，其中每一個像素點定制，單獨驅動發(fā)光，像素點的距離由原先的毫米級降低到微米級。Micro LED 制備工藝結合了MOEMS 技術和LED 制備工藝，具有重復性好，一致性好等優(yōu)點，可實現(xiàn)超高分辨率(1500ppi 以上)，且發(fā)光壽命長，材料穩(wěn)定性好，可以避免OLED 器件的殘影現(xiàn)象，未來商用潛力極大。
　　效率更高，功耗更小，Micro LED 有望大幅延長續(xù)航時間。近年來OLED 領域，發(fā)光材料的效率已獲持續(xù)改進，但相比之下，LED 發(fā)光效率依然是最高的，約為OLED 的兩倍左右，而Micro-LED 的發(fā)光效率大約是LED 的4 倍左右。Micro LED只需消耗LCD 和OLED 10%-20%的能量，而通常屏幕耗能占智能手機總耗能50%-60%，使用Micro LED 有望大幅降低手機耗能，提供更長的電池續(xù)航力。
　　各大巨頭積極布局，Micro LED 商業(yè)化曙光已現(xiàn)。據(jù)報道，蘋果今年將在臺灣對搭載Micro LED 的設備進行測試，并率先推出一批使用該技術的AppleWatch。隨后不排除會在蘋果手機上應用Micro LED 顯示屏。蘋果早在2014 年就收購研發(fā)Micro-LED 的公司LuxVue，多年來技術儲備不斷增加，專利儲備豐富。此外，近日鴻海對外公告，為了布局繼OLED 之后最有希望的新世代顯示技術Micro LED，公司透過子公司CyberNet 投資約資1，000 萬美元取得eLux 部分股份，elux 在Micro LED 轉移技術方面已有專利布局。
　　同時，不同于蘋果等大廠有意將Micro LED 應用于穿戴式裝置或手機產(chǎn)品，Sony 率先展示采用Micro LED 技術生產(chǎn)的110 吋室內大型顯示器CLEDIS(Crystal LED Integrated Structure)，畫質與對比度均令外界驚艷。此外，國外相關研究團隊還有美國德州理工大學、美國伊利諾大學、英國史崔克萊大學等等。據(jù)LEDinside 報道，如果按照全面取代現(xiàn)有液晶顯示器的零組件的規(guī)模來估算，包括背光模塊、液晶、偏光板等，未來Micro LED 的潛在市場規(guī)模約可達300-400 億美元。
　　技術及成本是主要瓶頸，大規(guī)模應用尚需時日。目前Micro LED 面臨的主要技術難題在于巨量轉移技術(Mass Transfer)。與LED 的制備方法類似，Micro LED可以在藍寶石襯底上以蝕刻方式制作，但難點在于Micro LED 制備需將傳統(tǒng)LED陣列化、微縮化后定址巨量轉移到電路基板上，形成超小間距LED，以實現(xiàn)超高像素、超高解析率。整個制程對轉移過程要求極高，良率需達99.9999%，精度需控制在正負0.5μm 內，難度極高。
　　目前轉移相關技術有范德華力、靜電吸附、相變化轉移、激光燒蝕四種，但相關工藝仍未成熟。此外，根據(jù)估算，目前Micro LED 顯示技術上帶來的制造成本仍高達現(xiàn)有顯示產(chǎn)品的3～4 倍，因而廠商正積極透過增加產(chǎn)品附加價值，以及改善芯片、轉移技術良率以達到成本下降目標，估計若要取代現(xiàn)有LCD 產(chǎn)品還需3～5 年的時間。