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大面積類金剛石碳膜低溫制備方法及裝置

關鍵詞類金剛石碳膜 , 低溫制備 , 裝置 |2010-12-10 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱大面積類金剛石碳膜低溫制備方法及裝置公開號1196401公開日1998.10.21主分類號C23C16/26&n

名稱	大面積類金剛石碳膜低溫制備方法及裝置
公開號	1196401	公開日	1998.10.21
主分類號	C23C16/26	分類號	C23C16/26
申請號	97103251.3
分案原申請號		申請日	1997.04.17
頒證日		優先權
申請人	哈爾濱工業大學	地址	150001黑龍江省哈爾濱市西大直街92號
發明人	夏立芳; 孫明仁; 馬欣新; 孫躍	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	哈爾濱工業大學專利事務所	代理人	李依群
摘要	本發明提出一種材料表面大面積類金剛石碳膜低溫制備方法及裝置，具體說是在密閉的真空室內充入含碳氣體，并對工件施加負高壓電脈沖，激發等離子體，在工件溫度不變的條件下，在其表面形成一層膜基間無界面的大面積類金剛石碳膜。其裝置為一個具有封閉磁場的真空室，室外設高壓脈沖電源及磁場，室內設工件臺或支架及高電壓引入電極，以及油冷、水冷系統。采用本發明可以對成批工件，在其表面制取一層無界面的高結合力的類金剛石碳膜。

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