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申請(qǐng)?zhí)? 201720707933.3

申請(qǐng)日: 2017.06.16

申請(qǐng)人: 北京科技大學(xué)

發(fā)明人: 李成明; 趙云; 林亮珍; 安康; 鄭宇亭; 黑立富; 劉金龍; 魏俊俊; 陳良賢

       摘要： 

       一種微波等離子體化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)單晶金剛石用的沉積臺(tái)，所述沉積臺(tái)由內(nèi)外兩部分組成，外部為屏蔽套環(huán)，內(nèi)部為金剛石籽晶托；所述屏蔽套環(huán)中部開(kāi)有階梯形通孔，上部為四邊形方孔，下部為圓孔；所述金剛石籽晶托為階梯軸狀，上部為四方軸，下部為圓軸。本實(shí)用新型在微波等離子體化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)單晶金剛石的過(guò)程中，通過(guò)屏蔽套環(huán)對(duì)微波電場(chǎng)的屏蔽作用，減少電場(chǎng)對(duì)其產(chǎn)生的邊緣效應(yīng)，提高單晶金剛石合成的局部可控性，并使金剛石籽晶處在一個(gè)合適的熱環(huán)境中，以促進(jìn)在高生長(zhǎng)速率下進(jìn)行高質(zhì)量單晶金剛石的生長(zhǎng)，同時(shí)在生長(zhǎng)結(jié)束后，便于對(duì)金剛石與籽晶托接觸面之間所產(chǎn)生的沉積物或碳化物進(jìn)行清理，維持界面之間的良好導(dǎo)熱，提高單晶金剛石生長(zhǎng)工藝參數(shù)的可重復(fù)性。

       主權(quán)利要求:

       一種微波等離子體化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)單晶金剛石用的沉積臺(tái)，其特征在于：所述沉積臺(tái)由內(nèi)外兩部分組成，外部為屏蔽套環(huán)，內(nèi)部為金剛石籽晶托。