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       申請號：201710322318.5
       申請人：中國電子科技集團公司第四十六研究所
       發明人：齊成軍 陳建麗 張嵩 王再恩 王軍山 蘭飛飛 李強 賴占平 孫科偉

       摘要： 本發明公開了一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長的方法。首先制作襯底托，在襯底托表面中央位置開兩個同心的方形槽；將襯底托表面及槽內磨平拋光；用無水乙醇進行超聲清洗，再等離子體清洗；將單晶金剛石襯底用丙酮進行超聲清洗，置于襯底托槽內，再裝入生長設備；在設備中對襯底進行等離子體清洗；再加入甲烷，進行單晶金剛石生長。由于石墨體在襯底與襯底托之間沉積，襯底側邊與襯底托有接觸，增大了襯底邊緣的冷卻效果，優化單晶金剛石襯底整體溫度均勻性；極大地避免了襯底邊緣出現多晶生長。通過實驗發現利用方形槽鑲嵌式襯底托可有效抑制了單晶金剛石在生長過程中的邊緣多晶，獲得了尺寸不縮小的單晶金剛石樣品。        主權利要求：1.一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長的方法，其特征在于，所述方法如下：（1）、制作方形槽鑲嵌式襯底托a）、根據單晶金剛石襯底的規格按照設計圖紙制作MPCVD襯底托，在襯底托表面中央位置開兩個同心的方形槽；b）、將襯底托表面及槽內磨平拋光；c）、利用無水乙醇對襯底托表面進行超聲清洗，然后在MPCVD氫氣氛等離子體條件下進行表面等離子體清洗；（2）、利用方形槽鑲嵌式襯底托進行單晶金剛石制備d）、將單晶金剛石襯底利用丙酮進行超聲清洗；e）、將清洗完成的單晶金剛石襯底置于方形槽鑲嵌式襯底托的槽內，然后整體裝入MPCVD生長設備；f）、在MPCVD設備中對單晶金剛石襯底進行等離子體清洗；g）、加入甲烷，進行單晶金剛石生長；h）、生長結束之后，取出單晶金剛石。