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　　申請號：201610217100.9
　　申請人：山東大學
　　發明人：陳秀芳 謝雪健 徐現剛 胡小波

　　摘要：一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上尺寸SiC單晶的方法，包括：采用浸有金剛石砂漿的金剛石線對所述SiC單晶進行切割。本發明所述方法中，金剛石線上的金剛石顆粒被電鍍在切割線上，不會隨金剛石線的高速運動被甩出，實現了與SiC晶體的始終接觸，保證了SiC切割片的面形質量；同時，金剛石砂漿中的金剛石磨粒被夾嵌在所述金剛石線表面固結金剛石顆粒之間的空隙處，并隨金剛石線被高速帶入所述SiC晶體中，SiC晶體受到金剛石線、金剛石砂漿兩方面的切削，從而提高了切割效率。 　　主權利要求：1.一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，該方法包括：采用浸有金剛石砂漿的金剛石線對所述SiC單晶進行切割。
　　2.根據權利要求1所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述方法包括具體步驟如下： (1)金剛石砂漿配制：將金剛石粉、切割液混合成金剛石砂漿；其中，所述金剛石粉為金剛石磨粒；(2)將金剛石線繞制在多線切割機上，形成金剛石線網；(3)SiC單晶放置：將待切割SiC單晶放置在工作臺上并固定，移動調整工作臺，使所述SiC單晶頂部與所述金剛石線網接觸；(4)晶體切割：啟動多線切割機，金剛石砂漿噴向金剛石線，使浸有金剛石砂漿的金剛石線對所述SiC單晶切割成目標尺寸的晶片。
　　3.根據權利要求1所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石線的線徑為150μm～400μm，金剛石線表面的金剛石顆粒度為10～50μm，排布密度為5～10個/mm。
　　4.根據權利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述多線切割機的進刀速度為0.010～0.100mm/min。
　　5.根據權利要求4所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述多線切割機的進刀速度為0.022～0.040mm/min。
　　6.根據權利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石砂漿中金剛石磨粒的直徑范圍為1～20μm。
　　7.根據權利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石線的供線速度為20～70m/min。
　　8.根據權利要求7所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述金剛石線的供線速度為40～50m/min。
　　9.根據權利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，所述步驟(4)中，所述金剛石線在切割過程的張力大小設置為30～60N。
　　10.根據權利要求2所述的一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上SiC單晶的方法，其特征在于，金剛石砂漿噴向金剛石線的流量為75L/min～150L/min。