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　　申請號：201510920190.3
　　申請人：中山大學
　　發明人：張彥峰 李蕓霄 陳鈺杰 王易 劉林 余思遠

　　摘要：本發明涉及一種金剛石微透鏡陣列及其制備方法，其中所述制備方法包括以下步驟：a）在金剛石襯底上通過轉移或生長的方法覆蓋一層硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一層光刻膠；c）使用三維光刻膠曝光法或熱熔法產生光刻膠的微透鏡陣列；d）根據所需制備的微透鏡高度與直徑的比值，分別確定對硬掩膜和金剛石襯底進行等離子體刻蝕的等離子體刻蝕參數，然后按照確定的等離子體刻蝕參數對硬掩膜層和金剛石襯底進行等離子體刻蝕，得到金剛石微透鏡陣列。本發明提供的制備方法能夠制備出微透鏡高度與直徑及其比值任意可調的金剛石微透鏡陣列。 　　主權利要求：1.一種金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：包括以下步驟：a）在金剛石襯底上通過轉移或生長的方法覆蓋一層硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一層光刻膠；c）使用三維光刻膠曝光法或熱熔法產生光刻膠的微透鏡陣列；d）根據所需制備的微透鏡高度與直徑的比值，分別確定對硬掩膜和金剛石襯底進行等離子體刻蝕的等離子體刻蝕參數，然后按照確定的等離子體刻蝕參數對硬掩膜層和金剛石襯底進行等離子體刻蝕，得到金剛石微透鏡陣列。
　　2.根據權利要求1所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述在硬掩膜上覆蓋一層光刻膠后，先對光刻膠進行烘烤，然后進行步驟c）。
　　3.根據權利要求1所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述等離子體刻蝕參數包括等離子體刻蝕的氣體組分、流量、氣壓和功率。
　　4.根據權利要求1~3任一項所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述硬掩膜為硅、氧化硅或者氮化硅中任一種。
　　5.根據權利要求4所述的金剛石微透鏡制備方法，其特征在于：所述金剛石襯底為單晶金剛石、多晶金剛石、非晶金剛石、微米晶金剛石和納米晶金剛石中任一種。
　　6.一種金剛石微透鏡陣列，其特征在于：使用權利要求1~5任一項所述的制備方法制備而得。
　　7.根據權利要求6所述的金剛石微透鏡陣列，其特征在于：所述金剛石微透鏡陣列的微透鏡直徑在1微米至1毫米之間。
　　8.根據權利要求6所述的金剛石微透鏡陣列，其特征在于：所述金剛石微透鏡陣列的微透鏡的高度為直徑長度的1%到400%。