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　　申請號：201510267092.4
　　申請人：埃維克技術有限公司
　　發明人：崔容瑄 李瑜基 韓致福

　　摘要：本發明涉及利用化學氣相沉積(CVD)工藝的商用金剛石電極及其制造方法，在金剛石電極的制造方法中，利用熱燈絲化學氣相沉積(HFCVD)工藝在碳質材料或導電性基板上形成導電性金剛石薄膜，在實施用于形成金剛石薄膜的工藝條件之前，流入碳源供給氣體以在鈮基板的表面形成碳化鈮(NbC)，在形成導電性金剛石薄膜時，將薄膜分2次以上進行沉積，由此，在形成導電性金剛石薄膜時，填埋隨之而來的針孔，最大限度抑制在電解氛圍下電解液與基板的接觸，使基板的腐蝕緩慢，從而提供具有長時間壽命的金剛石電極。 　　主權利要求：1.一種制造金剛石電極的方法，其特征在于，包括：向腔室內注入氫氣和碳源氣體而在基板表面形成碳化涂層的步驟；通過調節所述腔室內的氫氣、碳源氣體和硼源氣體的投入比率來調整在所述基板上沉積的金剛石晶體的大小，并且至少分2次以上在所述基板上形成導電性金剛石薄膜的步驟。
　　2.根據權利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，進一步包括在所述形成碳化涂層的步驟之前，通過打磨工序對所述基板的表面賦予粗糙度的步驟。
　　3.根據權利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，在所述形成碳化涂層的步驟中，在實施利用熱燈絲化學氣相沉積法(HFCVD)形成所述導電性金剛石薄膜的步驟之前的步驟中，在將所述腔室內基板表面的溫度加熱至適當溫度的狀態下，投入氫氣和碳源氣體來在鈮基板上形成碳化鈮涂層。
　　4.根據權利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，所述形成導電性金剛石薄膜的步驟包括：將作為所述碳源氣體的甲烷(CH4)、作為所述硼源氣體的TMB(三甲基硼)氣體、作為載氣的氫氣(H2)的投入比率即甲烷:TMB氣體:氫氣調節為0.5～2.5:3～5:100的步驟。
　　5.根據權利要求1所述的金剛石電極的制造方法，其特征在于，所述形成導電性金剛石薄膜的步驟包括：以所述導電性金剛石層的厚度每增加1～2μm時中斷成膜后重新成膜的方式，至少分2次以上進行成膜。
　　6.一種金剛石電極，其根據權利要求1～5中任一項所述的方法制造。