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　　申請號：201410107135.8

　　申請人：中國電子科技集團公司第十三研究所

　　摘要：本發明公開了一種金剛石器件的制備方法，涉及半導體器件技術領域。包括以下步驟（1）在有導電溝道的金剛石表層上的有源區覆蓋光刻膠；（2）將有源區外金剛石導電溝道去除；去除光刻膠（3）在源、漏位置以外處覆蓋光刻膠；（4）轉移石墨烯覆蓋在金剛石表面；（5）在石墨烯上面沉積歐姆接觸金屬；（6）剝離，形成源漏；（7）制備柵。本發明制備方法簡單，在金剛石溝道與源漏金屬間設置石墨烯層，石墨烯與金剛石，石墨烯與源漏金屬間可形成良好的歐姆接觸，可以極大減小金剛石器件的歐姆接觸電阻，提高金剛石器件的性能。

　　主權利要求：1.一種金剛石器件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟（1）在有導電溝道（2）的金剛石（1）表層上的有源區覆蓋光刻膠（3）；（2）將有源區外金剛石導電溝道（2）去除；去除光刻膠（3）；（3）在源（6）、漏（7）位置以外處覆蓋光刻膠（3）；（4）轉移石墨烯（4）覆蓋在金剛石表面；（5）在石墨烯（4）上面沉積歐姆接觸金屬（5）；（6）剝離，形成源（6）、漏（7）；（7）制備柵（8）。

　　2.根據權利要求１所述的金剛石器件的制備方法，其特征在于步驟（1）中金剛石表面導電溝道為n型或p型。

　　3.根據權利要求１所述的金剛石器件的制備方法，其特征在于步驟（1）中金剛石中形成表面導電溝道（2）的方法為氫等離子體處理法、化學摻雜法或B摻雜法。

　　4.根據權利要求１所述的金剛石器件的制備方法，其特征在于步驟（2）去除導電溝道的方法為干法刻蝕。

　　5.根據權利要求4所述的金剛石器件的制備方法，其特征在于步驟（2）去除導電溝道的方法為等離子體刻蝕法。

　　6.根據權利要求１所述的金剛石器件的制備方法，其特征在于步驟（4）所述石墨烯為單層石墨烯或多層石墨烯。

　　7.根據權利要求１所述的金剛石器件的制備方法，其特征在于步驟（5）所述歐姆接觸金屬為釕、銠、鈀、銀、鋨、銥、鉑、金、鈦、鋁、鉻、鍺、鉬、鎳、鎢、銅、鈷或鐵中的一種，或至少兩種相互組合的合金。