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　　申請號： 201110082432

　　申請人： 山東華光光電子有限公司

　　摘要：一種提高ＬＥＤ芯片出光的芯片切割方法。先在芯片正面用激光劃出劃痕，再用金剛石鋸片刀沿劃痕鋸片，所述鋸片刀是左右對稱的等腰倒三角形，刀側面與水平線的夾角為３０°－６０）°，調節鋸片刀刀高使得外延層剛好被鋸透，將鋸片完畢的芯片翻轉倒膜，用裂片刀在芯片背面沿上述激光劃痕裂片。本發明通過鋸片工藝，將芯片外延層邊緣約１０μｍ鋸成斜臺，可提高芯片出光率２０％以上。同時又能改善芯片外觀。該工藝操作簡單，易于實現。

　　獨立權利要求：１．一種提高ＬＥＤ芯片出光的芯片切割方法，包括如下步驟：（１）準備芯片：所述芯片為在襯底上生長有外延層的外延片，外延層上表面為芯片正面；（２）激光劃片：在所述芯片正面用激光劃出深３０±５μｍ、寬６±２μｍ的劃痕；（３）鋸片：用金剛石鋸片刀沿劃痕鋸片，所述鋸片刀是左右對稱的等腰倒三角形，刀側面與水平線的夾角為３０°～６０°，使得劃痕上端自然形成傾斜角３０°－６０°的錐形開口；調節鋸片刀刀高使得外延層剛好被鋸透；鋸片刀寬２０±４μｍ；（４）裂片：將鋸片完畢的芯片翻轉倒膜，用裂片刀在芯片背面沿激光劃痕裂片，形成晶粒。