名稱 | 水熱-電化學法制備金剛石膜 | ||
申請號 | 201210076711 | 申請日 | 2012年3月21日 |
公開號 | 102605413A | 公開日 | 2012年7月25日 |
代理機構 | 大連理工大學專利中心( 21200 ) | 代理人 | 侯明遠 |
申請人 | 大連理工大學 | 地址 | 遼寧省大連市凌工路2號 |
發明人 | 李揚 張貴鋒 趙凡 侯曉多 鄧德偉 | 主分類號 | C25D 15/02 |
國家/省市 | 中國湖北( 42 ) | 分類號 | C25D 15/02 |
摘要 | 一種水熱-電化學法制備金剛石膜,屬于表面鍍膜的技術領域。其特征是選用乙酸為碳源,提供金剛石膜生長需要的甲基。將乙酸稀釋在去離子水中,利用去離子水中的氫和氧抑制石墨相的生長。本發明中的實驗裝置是將用于水熱合成的反應釜進行了改進,引入電極。反應過程中溶液處于高溫高壓的狀態,滿足金剛石膜生長需要的襯底高溫條件,又利用雙向脈沖高電壓分解乙酸和去離子水,提供金剛石膜生長所需要的甲基,氫和氧的活性粒子。本發明的效果和益處是:相對于傳統的氣相法而言,液相法容易實現大面積和在復雜工件表面生長金剛石膜,且生長速率快。實驗中試劑無毒且價格便宜,無需復雜的真空系統。 | ||
獨立權利要求 | 1.一種水熱-電化學法制備金剛石膜,其特征在于:采用帶有電極的反應釜為實驗裝置,乙酸的水溶液為電解液,乙酸和去離子水在電場作用下分解產生甲基、氫氧活性粒子,同時對溶液進行加熱,襯底溫度保持在300℃,甲基被襯底捕獲后,碳氫鍵被打斷,形成碳碳鍵,300℃的襯底溫度和氫和氧活性粒子促進碳碳鍵以sp3雜化形式存在,得到金剛石膜。 |
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