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      一種選域金剛石膜的制備方法

      關(guān)鍵詞 選域 , 金剛石膜 , 制備|2010-12-22 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
      摘要 名稱一種選域金剛石膜的制備方法公開號1364945公開日2002.08.21主分類號C23C16/04

       

      名稱 一種選域金剛石膜的制備方法 
      公開號 1364945  公開日 2002.08.21   
      主分類號 C23C16/04  分類號 C23C16/04;C23C16/27 
      申請?zhí)?/strong> 01124619.7 
      分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 2001.07.25   
      頒證日   優(yōu)先權(quán)  
      申請人 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所    地址 130022吉林省長春市人民大街140號  
      發(fā)明人 趙海峰;宋航;李志明;金億鑫;邴秀華    國際申請  
      國際公布   進(jìn)入國家日期  
      專利代理機(jī)構(gòu) 長春科宇專利代理有限責(zé)任公司    代理人 梁愛榮   
      摘要   本發(fā)明涉及制備金剛石薄膜的方法,在選域襯底的導(dǎo)電圖形上生成籽晶襯底實(shí)現(xiàn)金剛石膜精確定域沉積;對籽晶襯底繼續(xù)生長制備不同特性的金剛石膜。金剛石膜與襯底附著牢固;例如:制備金剛石場發(fā)射冷陰極,將電子發(fā)射區(qū)域有效地控制在所選擇區(qū)域,集中密集發(fā)射。特別是在微尖(臺)頂部預(yù)沉積籽晶并生長金剛石的冷陰極,可較好的利用場增強(qiáng)效應(yīng),避免發(fā)射點(diǎn)過于分散,有利于提高微尖處的電流
       

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