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官方微信摘要 名稱用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法公開號1050949公開日1991.04.24主分類號H01L21/205&nbs
| 名稱 | 用于晶體生長的碳化硅表面的制備方法 | ||
| 公開號 | 1050949 | 公開日 | 1991.04.24 |
| 主分類號 | H01L21/205 | 分類號 | H01L21/205;H01L21/306 |
| 申請?zhí)?/strong> | 90108281.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1990.10.11 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1989.10.13[33]US[31]421375 | |
| 申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發(fā)明人 | 約翰·Ｗ·帕穆爾; 華雙·孔; 約翰·Ａ·愛德蒙 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 本發(fā)明是在一塊單晶碳化硅晶體上形成一個基本的平表面的方法，將基本的平表面暴露在腐蝕性等離子體中，直至任何因機械制備該表面而引起的表面或表面下的損傷基本上被消除。然而,腐蝕是有限的，持續(xù)時間不超過在表面上等離子腐蝕發(fā)展新缺陷或者使現有缺陷惡化所要的時間，同時采用等離子體氣體和電極系統(tǒng)，它們本身不會在表面中惡化或者引起顯著的缺陷。 | ||
豫公網安備41019702003646號