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      日本:多家企業(yè)大舉進(jìn)軍8英寸鍵合碳化硅襯底

      日本:多家企業(yè)大舉進(jìn)軍8英寸鍵合碳化硅襯底

      鍵合碳化硅襯底即指通過在低電阻多晶SiC支撐襯底上鍵合一層高質(zhì)量的單晶SiC薄層,這些產(chǎn)品能夠在保持單晶SiC特...

      日期 2024-10-14   

      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能

      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能
      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能
      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能

      12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導(dǎo)體接口專家會議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通實(shí)驗(yàn)室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

      日期 2017-12-22   

      從芯片結(jié)構(gòu)分析硅襯底PK藍(lán)寶石襯底的勝負(fù)

      從芯片結(jié)構(gòu)分析硅襯底PK藍(lán)寶石襯底的勝負(fù)
      從芯片結(jié)構(gòu)分析硅襯底PK藍(lán)寶石襯底的勝負(fù)
      從芯片結(jié)構(gòu)分析硅襯底PK藍(lán)寶石襯底的勝負(fù)

      基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料,芯片結(jié)構(gòu)主要分為4類,如圖1所示:正裝芯片結(jié)構(gòu)這類芯片廣泛被中低功率...

      日期 2016-02-22   

      硅襯底LED研發(fā)紀(jì)實(shí)

      一哄而上又遇經(jīng)濟(jì)下滑,剛剛過去的2015年,曾經(jīng)風(fēng)光無限的LED行業(yè)一如前兩年般慘烈。一年間,LED企業(yè)數(shù)量減少了20%,約4000家企業(yè)退出市場。然而,接二連三的&l...

      日期 2016-01-21   

      藍(lán)寶石襯底VS硅襯底 誰能走的更遠(yuǎn)?

      目前,藍(lán)寶石雖然穩(wěn)坐襯底材料的龍頭地位,但隨著產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,競爭日趨激烈,基于藍(lán)寶石襯底的技術(shù)發(fā)展變緩,再加上其成本高昂、專利壁壘等問題,眾多專家與工程師開始尋求性價(jià)...

      日期 2015-06-01   

      發(fā)力硅襯底LED制造技術(shù):四大優(yōu)勢 三點(diǎn)方法

      2015年2月12日,美國國際貿(mào)易委員會(ITC)投票決定正式對部分LED產(chǎn)品及其同類組件啟動337調(diào)查,涉案產(chǎn)品包括LED燈泡以及LED芯片等。一時(shí)間業(yè)界嘩然,LED...

      日期 2015-05-30   
      東芝:2017年硅襯底或成為市場主流

      東芝:2017年硅襯底或成為市場主流

      藍(lán)寶石雖然目前仍然穩(wěn)坐襯底材料龍頭,但隨著LED產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,基于藍(lán)寶石襯底的技術(shù)發(fā)展變緩,再加上其成本高昂、...

      日期 2015-04-24   
      硅襯底胎死腹中 藍(lán)寶石主流地位不動搖

      硅襯底胎死腹中 藍(lán)寶石主流地位不動搖

      曾有一段時(shí)間,硅曾被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是極具市場前景的氮化鎵基LED襯底材料,吸引了不少投資者的瘋狂涌入。國際LED大...

      日期 2014-01-08   

      硅襯底瀕臨流產(chǎn) 代替藍(lán)寶石遙遙無期

      從當(dāng)初的信誓旦旦到如今的集體迷茫,硅襯底的產(chǎn)業(yè)化道路仍然充滿不確定性,良率、光效以及成本等依舊是當(dāng)下亟待解決的問題。曾有一段時(shí)間,硅曾被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是極具市場前景的氮化...

      日期 2013-09-03   

      碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件

      名稱碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件公開號1278949公開日2001.01.03主分類號H0

      日期 2010-12-23   

      硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體

      名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B

      日期 2010-12-23   

      碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件

      名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件公開號1237272公開日1999.12.01主分類號H01

      日期 2010-12-23   

      硅襯底上適于鍵合技術(shù)的金剛石膜制備工藝

      名稱硅襯底上適于鍵合技術(shù)的金剛石膜制備工藝公開號1272557公開日2000.11.08主分類號C23C16/27&

      日期 2010-12-15   

      下游擴(kuò)張推動藍(lán)寶石襯底需求持續(xù)走高 爭奪碳化硅襯底市場

      據(jù)統(tǒng)計(jì),由于大量LED廠商不斷向上游進(jìn)軍,對MOCVD設(shè)備的需求急劇擴(kuò)大,2011年僅亞太地區(qū)的設(shè)備采購量就有望突破1000臺,通過傳導(dǎo)作用,全球市場對LED藍(lán)寶石襯底...

      日期 2010-11-26   
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      中國超硬材料網(wǎng)將通過一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業(yè)華麗蝶變,在回顧和盤點(diǎn)中,溫故知新!

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      2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國機(jī)精工股份有限公司、中國機(jī)械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。

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