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　　“在過去20多年中，圍繞IGBT器件產生了非常多的專利，歐洲、美國和日本的公司已經在這個領域形成了巨大的技術優勢。”飛兆半導體亞太區市場行銷暨應用工程副總裁藍建銅在接受《中國電子報》記者采訪時表示，“如果僅就硅基IGBT而言，我認為中國本土企業很難參與競爭。但是，如果使用化合物半導體等新材料，將把IGBT產業引入一個新的競爭平臺，在這個領域，中國企業還是有機會的。不過，在我看來，新材料的成熟還需要大約10年的時間。”
　　據浙江大學電氣工程學院長江特聘教授盛況介紹，碳化硅、氮化鎵和金剛石是常見的三種寬禁帶半導體材料，目前已有多家國外企業批量生產4英寸碳化硅晶圓，6英寸的碳化硅晶圓也將很快出現，使碳化硅成為三種寬禁帶材料中最成熟的技術，為碳化硅功率器件的發展提供堅實的基礎。“不過，由于碳化硅單晶片和外延材料的價格昂貴，使得碳化硅器件的價格都相當高，這成為它們大規模進入市場應用的一個門檻。”盛況補充道。
　　國外企業也沒有忽視新材料、新器件的研發。“從2009年到2011年的三年間，我們將集中力量研發碳化硅器件。”西村隆司說，“由于碳化硅器件的成本很高，所以，市場對這種器件的認可度取決于它能在多大程度上降低系統的整體成本。舉例而言，在高速電氣列車上，如果用硅基IGBT，需要配備一個很大的冷卻裝置；但如果使用碳化硅器件，冷卻裝置就可以小型化甚至可以省去，這對高速列車而言很有吸引力。因此，碳化硅器件將在特定的領域逐漸發揮其優勢。”