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      鄭州華晶金剛石股份有限公司

      金剛石芯片技術:加速發展的未來半導體革命

      關鍵詞 金剛石|2024-09-20 11:36:49|來源 半導體行業觀察
      摘要 當今時代,半導體行業正處于一個轉型的關鍵時期,以硅為主導的半導體領域面臨著高功率密度、高頻、高溫、高輻射等條件瓶頸;第三代半導體順勢而起,以GaN和SiC為代表的新材料的發展推動著...

             當今時代,半導體行業正處于一個轉型的關鍵時期,以硅為主導的半導體領域面臨著高功率密度、高頻、高溫、高輻射等條件瓶頸;第三代半導體順勢而起,以GaN和SiC為代表的新材料的發展推動著功率器件不斷向大功率、小型化、集成化和多功能方向前進,但散熱、能效等關鍵特性依舊是業界矢志不渝的追求方向。

             在追求極致性能與效率的時代,一場由金剛石引領的芯片革命正悄然興起。

             金剛石,指的就是還未經打磨的鉆石原石。那么,作為一種闖入了大家視線中的新半導體材料,“鉆石”芯片究竟有何魅力?無限可能背后,進展與挑戰并存。

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             “鉆石”芯片,魅力何在?

             被譽為“自然界最堅硬物質”的金剛石,不僅硬度驚人,還擁有卓越的導熱性能、極高的電子遷移率,擁有耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫等多重優異性能參數,以及其他優異的物理特性。

             具體來看,金剛石半導體具有超寬禁帶(5.45eV)、高擊穿場強(10MV/cm)、高載流子飽和漂移速度、高熱導率(2000W/m·k)等材料特性,以及優異的器件品質因子(Johnson、Keyes、Baliga),采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件,克服器件的“自熱效應”和“雪崩擊穿”等技術瓶頸。

             此外,金剛石擁有優異的物理特性,在光學領域具有良好透光性和折射率,適用于光電器件的研發;電學方面,其絕緣性能和介電常數使其在復雜電路中發揮穩定作用;機械性能方面,高強度和耐磨性確保芯片能夠承受極端工作條件。

             這些特性使得金剛石在芯片制造領域展現出巨大潛力,常被用于高功率密度、高頻率電子器件的散熱。在5G/6G通信,微波/毫米波集成電路、探測與傳感等領域發展起到重要作用。金剛石半導體被認為是極具前景的新型半導體材料,被業界譽為“終極半導體材料”。

             通過使用金剛石電子器件,不僅可以減輕傳統半導體的熱管理需求,而且這些設備的能源效率更高,并且可以承受更高的擊穿電壓和惡劣的環境。

             例如,在電動汽車中,基于金剛石的功率電子器件可以實現更高效的功率轉換、延長電池壽命以及縮短充電時間;在電信領域,尤其是在5G及更高級別網絡的部署中,對高頻和高功率器件的需求日益增長。單晶金剛石基板提供了必要的熱管理和頻率性能,支持下一代通信系統,包括射頻開關、放大器和發射器;消費電子領域,單晶金剛石基板可以推動更小、更快、更高效的智能手機、筆記本電腦和可穿戴設備組件的開發,從而帶來新的產品創新并提高消費電子市場的整體性能。

             據市場調研機構Virtuemarket數據指出,2023年全球金剛石半導體基材市場價值為1.51億美元,預計到2030年底市場規模將達到3.42億美元。在2024-2030年的預測復合年增長率為12.3%。特性優勢和廣闊前景驅動下,金剛石在半導體產業鏈上的多個環節已經展現出巨大的潛力和價值。從熱沉、封裝到微納加工,再到BDD電極及量子科技應用,金剛石正逐步滲透到半導體行業的各個關鍵領域,推動技術創新與產業升級。

             產業化進程的加速推進

             全球范圍內,對金剛石半導體的研發和產業化工作正在如火如荼地進行。從Element Six贏得UWBGS項目,到華為積極布局金剛石半導體技術;從Diamond Foundry培育出全球首個單晶金剛石晶圓,到Advent Diamond在金剛石摻磷技術上的突破;再到法國Diamfab計劃在2025年實現4英寸金剛石晶圓的量產,以及日本、美國、韓國等國家的全面發力,金剛石半導體的產業化進程正以前所未有的速度向前推進。

             這些企業和研究機構的努力,不僅推動了金剛石半導體技術的不斷成熟,還促進了相關產業鏈的完善。從原材料供應、晶圓制備、器件設計到封裝測試,金剛石半導體產業鏈正在逐步形成,為未來的大規模應用奠定了堅實的基礎。

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             從種種動向來看,目前業界對金剛石半導體的關注程度越高,優勢資源不斷匯集,也加速了研發和產業化速度。這意味著“鉆石”晶圓時代的開始。

             總之,金剛石半導體具有優于其他半導體材料的出色特性,如高熱導率、寬禁帶、高載流子遷移率、高絕緣性、光學透過性、化學穩定性與抗輻射性等。目前業界正在向金剛石進一步邁進,并逐步進入金剛石多功能發展的轉型時期。

             未來,隨著大尺寸、高質量以及大范圍、高靈活度的金剛石沉積技術的逐步開發,有望使大規模集成電路和高速集成電路的發展進入一個新時代。

             寫在最后

             早在五六十年前,科學界就曾掀起研究金剛石半導體的熱潮,但時至今日,也未能大規模用上金剛石半導體所制造的器件。有工程師為此感嘆,金剛石或許將永遠處在半導體實用化的邊緣。

             誠然,金剛石在半導體領域具有顯著優勢,但要實現金剛石芯片的大規模生產和應用,還面臨著諸多挑戰和限制,例如成本高、加工難度大、摻雜等技術工藝不成熟以及應用范圍有限等問題。

             盡管這一材料還有不少路要走,但已在半導體鏈中展現活力與應用潛力。我們相信,在各方的共同推動下,具備各種優異特性的金剛石材料在未來將會得到進一步發展,幫助半導體材料領域邁出至關重要的一步。

             當然,新材料最終作用并非將以硅為代表的傳統材料拍死在沙灘上,而是作為一種互補,在其擅長的領域充分發揮作用。

       

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