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隨著疫情常態化，功率器件景氣度隨工業、汽車需求復蘇；全球消費電子需求也跟著增長。我們預估此輪功率器件景氣度有望持續到明年上半年。

成本上行壓力增加，IDM模式優勢顯示。在產能緊缺之下，MOS等功率器件交貨周期拉長，部分晶圓代工廠上調代工價格，使得功率Fabless公司或面臨成本上行壓力，而IDM模式的功率公司，能保證自身產能需求，在同類產品價格上漲的情況下業綺將有較大彈性。

受到全球新冠疫情的影響，2020年全球功率半導體出現下滑，從市場空間角度看，全球 2020 年 79 億美金 MOSFET 市場，其中中國在 2017 年 67 億美金全球市場中占 40%，大約 27 億美金， 按照 2020 年仍然占比 40%計算，預計市場空間 31.6 億美金，即 221 億元 RMB。

　　● 汽車是最大應用市場，消費電子占比提升

　　Mosfet 下游應用廣泛，主要運用于消費電子、汽車電子、工業電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網、光伏新能源等新興領域。

　　從下游具體的占比來看，全球 MOSFET 市場占比較大的幾塊領域有：汽車 30%、 工業和醫療 20%、消費電子（含家電）21%、計算機領域 15%、通信 5%；國內 MOSFET 來看，占比較大的幾塊有：汽車 32%、工業和醫療 26%、消費電子 22%、計算機 8%、 通信領域 8%（下左圖是全球市場構成，右圖是國內市場構成）。

　　新能源車功率半導體價值量大幅增加。新增功率器件價值量主要來自于汽車的“三電”系統，包括電力控制，電力驅動和電池系統。在動力控制單元中，IGBT或者SiC模塊將高壓直流電轉換為驅動三相電機的交流電；在車載充電器AC/DC和DC/DC直流轉換器中，都會用到IGBT或者SiC、 MOS. SBD單管，或GaN：在電動助力轉向、水泵、油泵、PTC、空調壓縮機等高壓輔助控制器中都會用到IGBT單管或者模塊；在ISG啟停系統、電動車窗雨刮等低壓控制器中都會用到MOS單管。根據Infineon數據，2020年，48V輕混汽車需要增加90美元功率半導體，電動汽車或者混動需要增加330美元功率半導體。

　　● 第三代化合物半導體迎來發展新機遇

　　半導體經過近百年的發展后，目前已經形成了三代半導體材料，第三代半導體材料主要以碳化硅（ SiC） 、氮化鎵（ GaN） 、氧化鋅（ ZnO） 、金剛石、氮化鋁（AIN） 為代表的寬禁帶半導體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。受到電動汽車和混動汽車、充電樁和工業電源應用驅動，碳化硅（SiC） 將保持快速發展，2020年市場規模約7億美元，Yole預測，2025年將達到38億美元，2020-2025年復合增長率達到35%。三星、OPPO、小米等眾多智能手機廠商推出了集成了功率GaN器件的快速充電器，還有其他品牌，快充市場迅速發展，其他還有5G基站等需求的推動，功率GaN市場將呈現快速發展態勢，2020年GaN市場約1億美元，Yole預測，2025年將達到5億美元，2020-2025年復合增長率達到42%。

　　● 全球功率半導體呈現歐美日三足鼎立之勢

　　據 Omdia 數據，全球功率半導體器件與模組市場規模呈現歐美日三足鼎立之勢，英飛凌位居第一，占比19%，安森美次之，占比8.4%，前十大公司合計市占率達到58.3%。國內功率廠商如斯達半導、士蘭微、華潤微等在銷售上也有明顯進步，但從絕對價值量和占比來說，國產替代空間仍十分廣闊。

　　● 中國功率半導體產業迎來發展良機

　　我國半導體廠商主要為IDM模式， 生產鏈較為完善，產品主要集中在二極管、低壓MOS器件、晶間管等低端領域，IGBT逐漸獲得突破，生產工藝成熟且具有成本優勢，行業中的龍頭企業盈利水平遠高于臺灣地區廠商。而在新能源、電力、4九道交通等 高端產品領域，國內僅有極少數廠商擁有生產能力，高端產品市場主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠商所壟斷。

　　目前國內外IGBT市場仍主要由外國企業占據，國內以斯達半導體為首的IGBT企業發展快速, 在工控、電動汽車、風電、光伏、電力及高鐵等領域逐漸取得突破，不斷提升份額，2019年，斯達半導體電動汽車IGBT模塊在中國電動汽車領域的占比達到14%。

　　目前國內功率半導體產業鏈正在日趨完善，技術也正在取得突破。數據顯示，2020年全球功率半導體市場需求規模達143億美元，中國是全球最大的功率半導體消費國，2020年市場需求規模將達到56億美元，占全球需求比例約為39%。伴隨國內功率半導體行業進口替代的發展趨勢，未來中國功率半導體行業將繼續保持增長，2021年市場規模有望達到57億美元。在新能源（電動汽車、光伏、 風電）、工控、變頻家電、T設備等需求下，中國需求增速將繼續高于 全球，行業穩健增長+國產替代。