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       6月9-11日，由西安交通大學電子物理與器件教育部重點實驗室與單晶金剛石電子材料與器件泛太平洋產業聯盟共同主辦的“2019單晶金剛石及其電子器件國際研討會（2019SCDE）”召開。西安交通大學電子物理與器件教育部重點實驗室主任、寬禁帶半導體研究中心主任王宏興擔任研討會主席。來自不同國家和地區的130余位專家學者參加會議。

       會上，國內外60余位金剛石及相關材料與器件領域的專家做了大會報告和相關學術報告。藍光LED發明人之一，日本國立材料研究所小出康夫教授，日本金剛石半導體學會會長、早稻田大學川原田洋教授，美國材料研究協會主席、國際材料研究學會聯合會主席、亞利桑那州立大學羅伯特·J·內馬尼奇教授，北京大學沈波教授分別介紹了各自團隊的最新研究進展；德島大學敖金平教授、西北工業大學樊慧慶教授、吉林大學李紅東教授、濟南大學楊萍教授、日本國立材料研究所劉江偉研究員等分別介紹了國內單晶金剛石研究的最新研究進展。

       西安交通大學寬禁帶半導體材料與器件中心主任王宏興教授介紹了研究團隊在單晶金剛石快速生長、電子器件級單晶金剛石同質和異質外延生長、金剛石基日盲紫外探測和金剛石基功率電子器件方面的最新研究進展，獲得與會代表的高度評價。

       此次會議為單晶金剛石及相關材料和器件等相關領域的專家、學者、技術人員及企業家等提供學術交流平臺，加強國內外同行業之間的相互了解和合作，共同促進國際單晶金剛石材料及其電子器件行業及相關行業的蓬勃發展。通過與國內外各相關領域專家學者的交流，借此了解新型超寬禁帶半導體——單晶金剛石及其電子器件研究領域的最新進展，為發展新的實驗方法、理論并凝煉關鍵科學問題提供依據，全面推動以寬禁帶半導體材料為基礎的跨學科、跨領域的深入實質性的合作，促進我國單晶金剛石半導體材料及其電子器件研究平臺的建設，并通過共同努力，拓展該類先進電子材料與器件的應用與成果轉化。