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       近日，由中國科學院半導體研究所和中國科學院大學共同承擔的北京市科技計劃課題“5mm×5mm半導體金剛石襯底材料研制”通過驗收。

       金剛石是超寬禁帶半導體材料，具有載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強大、熱導率高等優異性質，是研制高頻大功率電子器件、深紫外光電子器件、量子自旋器件等高性能器件的理想材料。國際上，日本、歐洲、美國在半導體金剛石材料研究領域處于國際領先，國內半導體金剛石材料研究剛剛起步。

       在北京市科技計劃課題的支持下，課題組掌握了高質量半導體金剛石單晶材料制備的MPCVD和RFCVD技術，研制出國內首個金剛石電學性質測試裝置，所制備的半導體單晶金剛石材料，其室溫電子和空穴遷移率分別超過4100 cm2/V?s和3700 cm2/V?s，與國際報道最高數值接近，為國內目前最好水平。同時，通過課題實施，建立了包括半導體金剛石材料生長設備、生長工藝、測試表征設備以及測試表征方法在內的研究體系。下一步，課題組計劃開展半導體金剛石單晶襯底小試工藝研究。