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       由國家電網智能電網研究院牽頭，中科院半導體所、中科院物理所、北京天科合達藍光半導體有限公司等聯合承擔的北京市科委重大項目“1200V/20A碳化硅二極管研發”于2015年3月底通過專家驗收。通過項目實施，北京地區實現了碳化硅從單晶材料制備、外延材料生長到二極管芯片研制及其在電力系統應用驗證的全鏈條國產化，并形成了年產能2萬片4英寸SiC晶片，30片4英寸外延片，年產10萬只SiC二極管及1萬只碳化硅模塊的小批量生產能力，國產碳化硅器件已經初步通過光伏逆變器的應用驗證。        碳化硅作為第三代半導體材料，與硅相比具有擊穿電場強度大，熱導率高，帶隙寬度寬，熔點高等優點，將其應用于電力電子器件，可以從根本上提高功率變換裝置的效率，減少配套散熱器及濾波器耗材，同時還可以減小設備體積，提高設備可靠性，因而在高端變頻應用領域具有巨大的應用價值。北京市科委在“1200V/20A碳化硅二極管研發”項目的組織與頂層設計中，特別注重涵蓋了從碳化硅材料到器件、應用的產業鏈全部主要環節，整合了北京地區碳化硅材料、外延、器件研制及應用單位的優勢資源，集中開展碳化硅單晶襯底、外延材料、二極管芯片與模塊、光伏逆變器應用等技術攻關，最終順利完成了該領域的國產化研究并實現了小批量生產能力。        該項目累計形成了發明專利13項，發表科技論文8篇，其中SCI檢索4篇。項目的實施大幅提高了國內碳化硅產業鏈的整體設計能力和制造水平，對推動第三代半導體材料、器件產業發展，打破國外技術壟斷，提升我國核心國際競爭力與支撐落實節能減排戰略具有重要的現實意義。