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　　化學(xué)機(jī)械拋光的原理是，在機(jī)械研磨晶片的同時(shí)發(fā)生了化學(xué)腐蝕作用，這樣就能除去切片或磨片時(shí)所產(chǎn)生的機(jī)械表面損傷層（或稱亞表面損傷層），使晶體片表面光潔如鏡，達(dá)到預(yù)定的拋光效果。
　　在實(shí)驗(yàn)室中使用的化學(xué)機(jī)械拋光方法主要有兩種：鉻離子拋光和二氧化硅膠體拋光。我們用二氧化硅化學(xué)機(jī)械拋光的方法，對(duì)硅片進(jìn)行加工，舉例說(shuō)明其化學(xué)機(jī)械拋光的原理：
　　二氧化硅是酸性氧化物，所以將二氧化硅溶入氫氧化鈉溶液中，有小部分二氧化硅與氫氧化鈉反應(yīng)生成硅酸鈉（Na2SiO3），其反應(yīng)式如下：
　　Si02+2NaOH=Na2SiO3+H2O
　　大部分二氧化硅微粉分散在氫氧化鈉水溶液中，形成二氧化硅膠體。用二氧化硅與氫氧化鈉溶液配制成的二氧化硅膠體拋光液，PH一般控制在9左右。
　　二氧化硅膠體中的氫氧化鈉對(duì)硅有腐蝕作用，生成硅酸鈉溶于水中，從而對(duì)硅片產(chǎn)生了化學(xué)拋光作用，其反應(yīng)如下：
　　Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2
　　同時(shí)，二氧化硅膠粒對(duì)硅片也起機(jī)械拋光作用。
　　歸納起來(lái)就是：硅片表面被堿腐蝕，生成硅酸鹽。二氧化硅膠體顆粒對(duì)這層不完全鍵合的硅酸鹽進(jìn)行機(jī)械磨削。實(shí)現(xiàn)去除晶體片表面機(jī)械損傷層，使之表面平整光潔如鏡。
　　切磨拋工藝看起來(lái)簡(jiǎn)單，但操作起來(lái)還是很有學(xué)問(wèn)的，是很細(xì)致地工作。不注意就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，所加工的晶體片的質(zhì)量就無(wú)法保證，或者要走彎路。下面，就切磨拋工序的一些操作步驟，為什么要這樣的，介紹給大家，使您工作起來(lái)很順利。