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　　申請(qǐng)人：史密斯國(guó)際有限公司
　　發(fā)明人：Y·鮑 L·趙 J·D·貝爾納普 Z·林

　　摘要：一種制造切割元件的方法，包括將金剛石顆粒與碳酸鹽材料的混合物暴露于高壓高溫?zé)Y(jié)條件下以形成燒結(jié)的具有金剛石基質(zhì)的碳酸鹽多晶金剛石本體，所述基質(zhì)具有由結(jié)合在一起的金剛石晶粒和駐留于所述金剛石晶粒之間的間隙區(qū)域中的碳酸鹽，所述碳酸鹽材料非均勻地分布遍及金剛石基質(zhì)。將所述碳酸鹽多晶金剛石本體進(jìn)一步暴露于受控的溫度、受控的壓力或它們的組合下，以實(shí)現(xiàn)所述碳酸鹽材料的至少部分分解。

　　主權(quán)利要求：1.一種制造切割元件的方法，包括：將金剛石顆粒與碳酸鹽材料的混合物暴露于高壓高溫?zé)Y(jié)條件下以形成燒結(jié)的具有金剛石基質(zhì)的碳酸鹽多晶金剛石本體，所述基質(zhì)具有結(jié)合在一起的金剛石晶粒以及駐留于所述金剛石晶粒之間的間隙區(qū)域中的碳酸鹽，所述碳酸鹽材料非均勻地分布遍及金剛石基質(zhì)；以及將所述碳酸鹽多晶金剛石本體進(jìn)一步暴露于受控的溫度、受控的壓力或它們的組合下，以實(shí)現(xiàn)所述碳酸鹽材料的至少部分分解。
　　2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，碳酸鹽材料部分分解成金屬氧化物導(dǎo)致形成分布于所述基質(zhì)中的通道。
　　3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述碳酸鹽材料分解后所形成的通道呈現(xiàn)非均勻分布。
　　4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料包括作為雜質(zhì)的SiO2。
　　5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述碳酸鹽材料部分分解成至少一種金屬氧化物的過(guò)程中，所述至少一種金屬氧化物與作為雜質(zhì)存在于 所述碳酸鹽材料中的SiO2反應(yīng)，從而導(dǎo)致形成至少一種金屬硅酸鹽。
　　6.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料包括堿土金屬碳酸鹽。
　　7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料包括碳酸鎂和碳酸鈣中的至少一種。
　　8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述碳酸鹽材料是碳酸鎂。
　　9.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，碳酸鹽多晶金剛石的高壓高溫?zé)Y(jié)本體包括上表面、底表面、上表面和底表面之間的圓周側(cè)表面以及上表面和圓周側(cè)表面之間的圓周切割邊緣。
　　10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，碳酸鹽多晶金剛石的高壓高溫?zé)Y(jié)本體的高度小于碳酸鹽多晶金剛石的高壓高溫?zé)Y(jié)本體的直徑。
　　11.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，碳酸鹽多晶金剛石本體包括形成并鄰近所述圓周切割邊緣的第一區(qū)域以及遠(yuǎn)離所述第一區(qū)域軸向、徑向或以兩種方式相結(jié)合的方式延伸的第二區(qū)域，其中，所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域具有更高濃度的碳酸鹽材料。
　　12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，碳酸鹽基多晶金剛石本體的第一區(qū)域包括從約0至5重量百分比的碳酸鹽材料。
　　13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，碳酸鹽基多晶金剛石本體的第二區(qū)域包括從約2至9重量百分比的碳酸鹽材料。
　　14.一種切割元件，包括：氧化物基多晶金剛石本體，包括：形成基質(zhì)相的多個(gè)結(jié)合在一起的金剛石晶粒；介于結(jié)合在一起的金剛石晶粒之間的多個(gè)間隙區(qū)域；以及非均勻地布置在所述間隙區(qū)域內(nèi)的氧化物材料；以及所述氧化物基多晶金剛石本體進(jìn)一步包括形成并鄰近切割邊緣的第一區(qū)域以及遠(yuǎn)離所述第一區(qū)域軸向、徑向或以兩種方式相結(jié)合的方式延伸的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域具有更高濃度的碳酸鹽材料。
　　15.如權(quán)利要求14所述的切割元件，其中，氧化物材料選自堿土金屬氧化物。
　　16.如權(quán)利要求15所述的切割元件，其中，氧化物材料包括氧化鎂和氧化鈣中的至少一種。
　　17.如權(quán)利要求15所述的切割元件，其中，氧化物材料是氧化鎂。
　　18.如權(quán)利要求14-17中任一項(xiàng)所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體中還包括至少一種金屬硅酸鹽。
　　19.如權(quán)利要求14-18中任一項(xiàng)所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體的第一區(qū)域包括從約1至3重量百分比的氧化物材料。
　　20.如權(quán)利要求14-19中任一項(xiàng)所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體的第二區(qū)域包括從約2至9重量百分比的氧化物材料。 　　
　　21.如權(quán)利要求14-20中任一項(xiàng)所述的切割元件，其中，氧化物基多晶金剛石本體進(jìn)一步包括氧化鎂、氧化鈣和它們的組合中的至少一種，且氧化物基多晶金剛石本體進(jìn)一步包括通道，而且所述氧化鎂、氧化鈣和它們的組合中的至少一種遍布金剛石基質(zhì)分布。
　　22.一種切割元件，包括：碳酸鹽基多晶金剛石本體，包括：形成基質(zhì)相的多個(gè)結(jié)合在一起的金剛石晶粒；介于結(jié)合在一起的金剛石晶粒之間的多個(gè)間隙區(qū)域；以及非均勻地布置在所述間隙區(qū)域內(nèi)的碳酸鹽材料；以及所述碳酸鹽基多晶金剛石本體進(jìn)一步包括形成并鄰近切割邊緣的第一區(qū)域以及遠(yuǎn)離所述第一區(qū)域軸向、徑向或以兩種方式相結(jié)合的方式延伸的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域比所述第一區(qū)域具有更高濃度的碳酸鹽材料。