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       獨立權利要求：1.一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，首先對陰陽極基材和立方氮化硼粉體進行潔凈處理，然后將處理過的陰陽極基材和立方氮化硼粉體放入到鍍液中進行電鍍，其特征在于：所述鍍液由硼酸、氯化銨、氨基磺酸鎳和十二烷基硫酸鈉溶解在去離子水中制成，電鍍時每升鍍液中含有硼酸30-50g、氯化銨5-15g、氨基磺酸鎳280-320g、十二烷基硫酸鈉0.6-1.0g以及立方氮化硼粉體25-45g，同時，在電鍍時向鍍液中施加功率為250-260W、頻率為20-40KHz的超聲波。 2.根據權利要求1所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時每升鍍液中含有硼酸35-45g、氯化銨8-12g、氨基磺酸鎳290-310g、十二烷基硫酸鈉0.7-0.9g和立方氮化硼粉體30-40g。 3.根據權利要求1所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時鍍液中施加的超聲波的頻率為32-36 KHz。 4.根據權利要求1所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時施加的電流密度為3-5A/dm2，同時對鍍液進行攪拌，攪拌速度為360-420r/min，并控制鍍液的溫度為40-60℃。 5.根據權利要求4所述的一種鎳-立方氮化硼薄膜的制備方法，其特征在于：所述電鍍時施加的電流密度為3.5-4.5 A/dm2，攪拌鍍液的速度為380-400 r/min，控制鍍液的溫度為45-55℃。