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       專利號：201110004740

       申請人：大連理工大學

       技術簡要說明：本發明屬于微納米材料技術領域，涉及一種硼摻雜金剛石微納米材料及其制備方法。本發明的柱狀陣列結構硼摻雜金剛石微納米材料是在硅基底上制備的，其特征在于：硅基底為采用光刻技術在硅上形成單個柱高為5～20μm、柱直徑為1～10μm、柱間距為2～10μm的柱狀陣列結構，在硅基底上先超聲接種金剛石種子，再采用微波等離子體化學氣相沉積法，形成厚度為0.5～2μm的硼摻雜金剛石膜，硼摻雜金剛石柱軸向相互平行，形成有序的柱狀陣列結構，單個硼摻雜金剛石柱高度為5.5～22μm、直徑為2～14μm、柱間距為0.4～8μm。本發明的硼摻雜金剛石微納米材料比表面積大，可用于電化學檢測等方面。

       主權利要求：１．一種柱狀陣列結構硼摻雜金剛石微納米材料，是在硅基底上制備的，其特征在于：硅基底為采用光刻技術在硅上形成單個柱高為５～２０μｍ、柱直徑為１～１０μｍ、柱間距為２～１０μｍ的柱狀陣列結構，硅柱的軸向相互平行；在硅基底上先超聲接種金剛石種子，再以甲烷為碳源、硼烷為硼摻雜劑、采用微波等離子體化學氣相沉積法形成厚度為０．５～２μｍ的硼摻雜金剛石膜，制成柱狀陣列結構硼摻雜金剛石微納米材料，單個硼摻雜金剛石柱高度為５．５～２２μｍ、直徑為２～１４μｍ、柱間距為０．４～８μｍ，硼摻雜金剛石柱軸向相互平行，形成有序的柱狀陣列結構。