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       本發(fā)明公開了一種在金剛石顆粒表面制備SiC層的方法，將金剛石顆粒與Si粉、聚碳硅烷丙酮溶液、碘粉混合均勻后，于900～1200℃的真空環(huán)境中固相反應(yīng)1～5小時(shí)，其中，Si粉質(zhì)量為金剛石顆粒質(zhì)量的5～20％；聚碳硅烷質(zhì)量為金剛石顆粒質(zhì)量的0.1～5％；碘粉質(zhì)量為金剛石顆粒質(zhì)量的0.5～5％，反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫，過100目篩，分離出鍍覆SiC層的金剛石顆粒。本發(fā)明通過真空固相反應(yīng)，在金剛石顆粒表面形成SiC層，從而有效增強(qiáng)了金剛石顆粒的表面綜合性能，拓展了其應(yīng)用面；本發(fā)明所采用的原料易得、工藝簡單，具有廣闊的應(yīng)用前景。

       １．一種在金剛石顆粒表面制備ＳｉＣ層的方法，其特征在于，將金剛石顆粒與Ｓｉ粉、聚碳硅烷的丙酮溶液、碘粉混合均勻后，于９００～１２００℃的真空環(huán)境中固相反應(yīng)１～５小時(shí)，反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫，過１００目篩，分離出鍍覆ＳｉＣ層的金剛石顆粒；其中，Ｓｉ粉質(zhì)量為金剛石顆粒質(zhì)量的５～２０％，聚碳硅烷質(zhì)量為金剛石顆粒質(zhì)量的０．１～５％，碘粉質(zhì)量為金剛石顆粒質(zhì)量的０．５～５%。