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官方微信摘要 名稱利用注入和橫向擴散制造碳化硅功率器件的自對準方法公開號1304551公開日2001.07.18主分類號H01L2
| 名稱 | 利用注入和橫向擴散制造碳化硅功率器件的自對準方法 | ||
| 公開號 | 1304551 | 公開日 | 2001.07.18 |
| 主分類號 | H01L21/336 | 分類號 | H01L21/336 |
| 申請號 | 99807102.1 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1999.06.07 | |
| 頒證日 | 優先權 | 1998.6.8 US 09/093,207 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發明人 | A·V·蘇沃羅夫;J·W·帕爾穆爾;R·辛格 | 國際申請 | PCT/US99/12714 1999.6.7 |
| 國際公布 | WO99/65073 英 1999.12.16 | 進入國家日期 | 2000.12.07 |
| 專利代理機構 | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陳霽;張志醒 |
| 摘要 | 通過掩模中的開口在碳化硅襯底中注入p型摻雜劑，形成深p型注入，從而制造碳化硅功率器件。N型摻雜劑通過掩模中相同開口注入到碳化硅襯底中，相對于深p型注入形成淺n型注入。以足以使深 p型注入橫向擴散到包圍淺n型注入的碳化硅襯底表面的溫度和時間，進行退火，同時不使p型注入通過淺n型注入縱向擴散到碳化硅襯底表面。因此，通過離子注入可以進行自對準淺和深注入，通過促使具有高擴散系數的p型摻雜充分擴散，同時具有低擴散系數的n 型摻雜劑保持相對固定的退火，可以形成很好控制的溝道。因此，可以在n型源周圍形成p－基區。可以制造橫向和縱向功率MOSFETs。 | ||
豫公網安備41019702003646號