| 名稱 | 采用類金剛石修飾人工晶體的方法 | ||
| 公開號 | 1340637 | 公開日 | 2002.03.20 |
| 主分類號 | C30B29/04 | 分類號 | C30B29/04;A61L27/08;A61F2/16 |
| 申請號 | 00122852.8 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2000.08.30 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 顧漢卿 | 地址 | 300457天津市經濟技術開發區第五大街泰華路12號7樓 |
| 發明人 | 顧漢卿 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 天津市專利事務所 | 代理人 | 張國慶;王融生 |
| 摘要 | 采用類金剛石修飾人工晶體的方法是在高真空等離子體加速氣相沉積的條件下，在低溫5～80℃，載能離子束輔助沉積的作用下，使碳原子的SP#-[2]向SP#-[3] 轉化而形成類金剛石結構。結構測定證實，SP#-[3]成分的存在。結果證實各項測定指標均與PMMA IOL有顯著性差異，生物相容性優于PMMA IOI，表面硬度是 PMMA IOL的10倍，且親水、顏色微黃至微褐色。加工成本低 | ||
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